半导体发光-制造半导体器技术资料

[CN8113-0033-0001] 形成光电元件的方法
[摘要] 本发明涉及一种以一低温制程形成光电元件的方法，通过一低温制程，在低温的环境下于光电层上形成导电元件，以便使用一般黏合剂黏合底材与光电层，以维持甚至提升发光效率。
[CN8113-0139-0002] 反应室处理的方法
[摘要] 一种反应室处理的方法，此方法是适用于处理反应室中的碳残留物与硅残留物。此方法包括于反应室中通入氧气，以于此反应室中进行氧气电浆处理制程，而使碳残留物与硅残留物分别生成二氧化碳气体与氧化硅。由于所生成的二氧化碳气体会排出反应室，且氧化硅会粘着于反应室的壁上，因此可以避免后续蚀刻制程遭受到碳残留物与硅残留物的污染。
[CN8113-0189-0003] 半导体器件及其制造方法
 
本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在具有使用强电介质或高电介质的电容绝缘膜的半导体器件中，可防止电容绝缘膜因氢引起的劣化的同时，还可减小单位单元的面积。该器件具备：形成在半导体衬底(10)上的单元选择用晶体管；与各晶体管的源扩散层(14B)连接、包含多个电容部(27)的电容部列，各个电容部具有由强电介质构成的电容绝缘膜(25)；形成在比该电容部列更下方的位线(17)。电容部列在包含上下的整个周围被氢阻挡膜覆盖，该氢阻挡膜由形成在晶体管和电容部(27)之间的导电性下部氢阻挡膜(21)、形成在位线(17)及电容部列之间的绝缘性下部氢阻挡膜(19)和形成在电容部列上侧的上部氢阻挡膜(29)构成。
[CN8113-0157-0004] 半导体器件及其制造方法
[摘要] 通过芯片区域的外围部分中的多个绝缘膜的多层结构，形成密封环结构以围绕该芯片区域。在该芯片区域中的至少一个绝缘膜中形成双重镶嵌互连，该双重镶嵌互连中集成有一个互连和一个连接到该互连的插塞。形成在该绝缘膜内的部分密封环结构是连续的，该绝缘膜中形成有双重镶嵌互连。形成在多层结构上的保护膜在保护环上具有开口。在开口中形成连接到该密封环的盖层。
[CN8113-0090-0005] 半导体器件的制造方法
[摘要] 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，在形成布线沟之前形成通路孔的双金属镶嵌工序中，防止在对由SiOC膜构成的层间绝缘膜干法刻蚀时使用氧化铝掩模的情况下会产生的通路孔的形状不良。在中间隔着顶盖绝缘膜(31)地在由低介电常数的SiOC膜构成的层间绝缘膜(30)的上部形成了氧化铝掩模(32a)后，以光致抗蚀剂膜为掩模干法刻蚀顶盖绝缘膜(31)和层间绝缘膜(30)，由此形成通路孔(37)。其次，在除去了光致抗蚀剂膜之后，使用稀氟酸清洗液清洗通路孔(37)的内部，除去氧化铝残渣。然后，以氧化铝掩模(32a)为掩模干法刻蚀顶盖绝缘膜(31)和层间绝缘膜(30)，由此形成布线沟。
[CN8113-0014-0006] 用于显示器件的薄膜晶体管基板及其制造方法
[摘要] 本发明公开了一种用于显示器件的薄膜晶体管基板，其具有多个薄膜晶体管和连接到薄膜晶体管的像素电极，所述薄膜晶体管包括：位于显示器件的非显示区的多个焊盘电极，用于向显示器件的显示区内的多个薄膜晶体管施加信号；在非显示区内覆盖焊盘电极的保护膜；以及与位于多个焊盘电极中的至少一个相邻的保护膜内的狭缝。
[CN8113-0025-0007] 具有热防护功能的晶体管结构
[摘要] 本发明是指一种具有热防护功能的晶体管结构。此晶体管结构的一类型包括主要N型金氧半晶体管、次要P型金氧半晶体管以及热防护单元；次要P型金氧半晶体管的漏极端与栅极端分别连接到主要N型金氧半晶体管的栅极端与热防护单元；此两晶体管结构整体架构是仿效标准的N型金属氧化物半导体晶体管；次要P型金属氧化物半导体晶体管的源极端作为此晶体管结构的栅极端。此晶体管结构的漏极端和源极端分别为主要N型金属氧化物半导体晶体管的漏极端与源极端；此热防护单元藉由感测热量、中断流过晶体管的电流以及开闭晶体管，以避免此晶体管结构的两金属氧化物半导体晶体管发生热故障。
[CN8113-0098-0008] 散热器及其制造方法
[摘要] 本发明涉及一种散热器及其制造方法，该散热器包括一基体，多个散热鳍片从基体一表面延伸，及多个碳纳米管形成于基体的另一表面，该多个碳纳米管彼此基本平行且基本垂直于散热器基体的另一表面。另外，本发明还提供该散热器的制备方法，该制备方法包括以下步骤：提供一散热器，该散热器包括一基体及多个从基体一表面延伸的散热鳍片；抛光散热器基体的另一表面；沉积催化剂于该散热器基体的另一表面；通入碳源气，于散热器基体的另一表面生长碳纳米管。
[CN8113-0217-0009] 热处理装置
[摘要] 本发明提供一种热处理装置，其特征在于，包括：筒状的处理容器、可多层地保持多个被处理体的同时，可进出所述处理容器内的被处理体保持单元、向所述处理容器内导入规定处理气体的处理气体导入单元、设置在所述处理容器的内部，在所述被处理体保持单元进入所述处理容器内时，加热所述被处理体保持单元所保持的多个被处理体的加热单元和冷却所述处理容器外壁面的容器冷却单元。
[CN8113-0018-0010] 半导体器件及其制造方法
[摘要] 在制造包括具有改进结构稳定性和增加电容量的电容器的半导体器件的方法中，在半导体衬底的表面部分上形成接触区。在衬底上形成铸模层之后，形成围绕存储电极的稳定部件。穿过铸模层形成接触孔，以露出稳定部件的侧壁和接触区。在稳定部件的露出接触区和露出侧壁上形成存储电极。在存储电极上连续地形成介质层和板电极。即使当电容器具有非常高的高宽比，包括存储电极和稳定部件的电容器也将具有改进的结构稳定性，该结构防止机械倒塌。
[CN8113-0077-0011] 制造闪存装置的方法
[CN8113-0063-0012] 具有载流子传输性能的聚合物材料以及使用该材料的有机薄膜元件、电子器件和导...
[CN8113-0194-0013] 固体摄像器件及其控制方法
[CN8113-0034-0014] 发光二极管高效能散热的支持装置
[CN8113-0140-0015] 电路基板的搬运装置及搬运方法、焊球搭载方法
[CN8113-0141-0016] 用于修正卷到卷工艺中薄片变形的方法和系统
 
[CN8113-0038-0017] 半导体发光元件
[CN8113-0073-0018] 形成接触孔的改进方法
[CN8113-0125-0019] 基板检查装置、涂敷·显影装置和基板检查方法
[CN8113-0024-0020] 多指状晶体管
[CN8113-0109-0021] 非易失性半导体存储装置
[CN8113-0019-0022] 交差点型强电介质存储器
[CN8113-0122-0023] 多腔体分离磊晶层有机金属化学气相磊晶装置及方法
[CN8113-0197-0024] 半导体装置的制造方法
[CN8113-0087-0025] 用于IC芯片封装的精密定位装置
[CN8113-0198-0026] 半导体器件的制造方法
[CN8113-0027-0027] 半导体装置与其制造方法
[CN8113-0218-0028] 用于单衬底或双衬底加工的设备和方法
[CN8113-0079-0029] 氮化穿隧氧化层的形成方法
[CN8113-0005-0030] 改进的半导体导线架
[CN8113-0105-0031] 静电破坏保护装置
[CN8113-0039-0032] 发光元件收纳用封装、发光装置以及照明装置
[CN8113-0082-0033] 半导体器件及其制造方法
[CN8113-0107-0034] 半导体集成电路
[CN8113-0091-0035] 半导体器件及其制造方法
[CN8113-0142-0036] 基板处理装置及其控制方法
 
[CN8113-0207-0037] 发光器件和利用该发光器件的发光设备和制造发光器件的方法
[CN8113-0053-0038] 半导体处理系统及其搬送机构
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[CN8113-0094-0040] 分离栅极型非易失性存储器的制造方法
[CN8113-0133-0041] 非易失双晶体管半导体存储单元及其制造方法
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[CN8113-0169-0049] 在半导体器件中形成金属线的方法
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