坩埚-坩埚制造-铱坩埚类技术资料

 [CS536-0155-0001] 由多晶硅炉料制备熔硅熔料的方法
[摘要] 公开了一种用多晶硅制备熔硅熔料的工艺，该熔硅熔料用于通过切克劳斯基方法生产单晶硅。初始向坩埚中填充多晶硅并加以熔化，形成包含熔硅和未熔化多晶硅的特殊熔化炉料。熔硅具有一个上表面，未熔化多晶硅部分暴露于该上表面之上。以一种方式向暴露的未熔化多晶硅上添加颗粒状多晶硅，该方法足以使颗粒状多晶硅在停留于暴露的未熔化多晶硅的表面期间和在逐渐沉入熔硅之前实现脱氢。然后颗粒状多晶硅和未熔化的多晶硅全部熔化形成熔硅熔料。该方法使生产单晶硅晶锭时的零缺陷成品率、产量和平均热循环时间均得到改善。
  [CS536-0171-0002] 单晶提拉装置
[摘要] 一种单晶提拉装置，其中半导体熔体储存在外坩埚内，作为部件的圆筒形内坩埚安装在外坩埚内因而形成双坩埚，半导体单晶从内坩埚内的半导体熔体提拉。内坩埚含有形成双坩埚时形成的连接部分，令半导体熔体流入内坩埚之内，并且连接部分结合去除吸附到连接部分气泡的装置。
  [CS536-0120-0003] 纳米铜锌合金催化剂的制备方法
 
本发明涉及一种将两种不同熔点的金属铜和锌经加热、蒸发、充气、碰撞及钝化等过程制备纳米ＣｕＺｎ合金催化剂的方法，先将铜料和锌料分别放在上、下排列的两个坩埚内，先后通电加热让其同时有原子蒸发后，再正交方向通入氩气引发等离子体弧，形成纳米ＣｕＺｎ合金超微粒子沉积在冷阱上，再收取后通入空气使其钝化便可制成催化剂，其工艺简单，操作方便，产品收率高，节约能源。
  [CS536-0141-0004] 用于制造微合金制品的自耗电极方法
[摘要] 一种由原料金属（５），例如，钽、铌和其合金，制造锻造产品的方法。自耗电极上涂以均匀厚度的至少第一合金层（４０）。给电极（１０）提供足够的能量，以引发电弧，使原料金属（５）和合金金属（４０）熔化，并在坩埚（２５）中形成熔池，电极（１０）上均匀的第一合金层均匀地将一定量的合金（４０）加入到大量的原料金属（５）中，并有利于产生均匀一致的电弧，促进坩埚（２５）中合金（４０）与原料金属（５）的混合。电极体（１０）以改进的速率熔耗，不会造成终成品重量的减少。熔炼的金属可固化成铸锭。由铸锭再制成锻造产品。
  [CS536-0165-0005] 新型蜡石质坩埚及其制作工艺
[摘要] 一种新型的蜡石质坩埚，由蜡石、人工合成熟料，熟坩埚皮及不同性能的高岭土配制而成，具有良好的烧结性能和高致密度，适于熔制铅晶质玻璃，光学玻璃，显像管玻璃，电子玻璃、眼镜玻璃以及普通玻璃和高硼硅仪器玻璃是当今理想的更新换代产品。
  [CS536-0092-0006] 低砷纯锑的制备方法
[摘要] 本发明公开了一种低砷纯锑的制备方法，其特点是将原料放入坩埚中在高温下加碱精炼除硫降砷，然后用真空蒸馏设备进行真空蒸馏，在真空蒸馏设备中的石墨坩埚上的筛盘上放置紫铜丝，使得锑中砷在真空蒸馏挥发时进一步分离出去。本方法的优点是加工费用低，是生产高纯锑方法的１／１０，回收率可达到８７％，且锑的主品位要达９９．９９—９９．９９８％，砷杂质可降至１０ｐｐｍ以下，硫杂质可降至２ｐｐｍ。
  [CS536-0012-0007] 二氧化碲单晶体的生长技术
[摘要] 一种属于晶体生长技术的二氧化碲(TeO2)单晶体生长.其特征在于用坩埚下降法可生长多种切向和形状的单晶体.利用本技术可沿[100][001][110]方向并可沿其中任一方向生长方棒、椭圆形、菱形、板状及圆柱形晶体.所生长晶体可达(70-80)mm×(20-30)mm×100mm.本方法与一般提拉法比具有设备简单,不受提拉方向和切形限制,基本无污染等优点,而且晶体利用率可相应提高30-100%.
  [CS536-0154-0008] 斑铜装饰材料制造方法
[摘要] 斑铜装饰材料的制造方法，其特征是将纯铜放入石墨坩埚内于感应炉中熔炼并铸锭，铸锭去皮然后进行９６—９８％大变形量轧制，之后于８５０—１０５０℃退火０．５—１．５小时，最后将所得之材料置于显斑液中浸蚀５—８分钟，大斑花即可显出，显斑后的材料用风机干燥，然后涂漆保护。
  [CS536-0038-0009] 彩条玻璃器皿机械化自动化生产方法
[摘要] 彩条玻璃器皿的机械化自动化的生产方法是，玻璃明料经料道进入供料机的料盆，包裹料盆中由熔化色料坩埚里流出的色料，剪切成中心有色料带的滴料，滴料定向进入成型机中，经过压扁，成泡、吹制成型等工序，在成型过程中色料带随明料一起变形，延展、扭转，形成形状美丽的彩条。再经热爆口、退火等工序制成成品。供料机、成型机连续自动化生产，所以效率高，成本低，质量好，工人操作省力，能大量生产满足人民的消费要求。
  [CS536-0050-0010] 带有固溶体涂镀层的工件及其生产方法、生产设备和应用
[摘要] 一种准金属固溶体镀层（Ｃ、Ｄ）由反应物理技术镀在工件上的分离层（Ｂ）上，准金属的含量比在层厚范围连续变化。为生产镀层（Ｃ、Ｄ），把钛放在相对被镀工件前后移动的坩埚中蒸发，并输入两种与蒸发钛亲和力不同的气体。为生成层（Ｃ、Ｄ）的第一局部层，气体的含量比例均匀变化。在涂镀过程中工件旋转，因此，工件表面接近或远离坩埚。该涂镀工件有高抗侧磨损和月牙洼痕磨损性。
  [CS536-0100-0011] 自润滑镍-铬基合金
  [CS536-0094-0012] 镀厚膜的方法及设备
  [CS536-0074-0013] 一种高纯金属钕生产方法
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  [CS536-0118-0017] 用于辐射计量的光释光元件及其制备方法和应用
  [CS536-0081-0018] 钽酸锂单晶的无金极化工艺
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  [CS536-0123-0023] 一种制备高纯磷酸四钙的方法
  [CS536-0108-0024] 从镁渣中回收镁的工艺
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  [CS536-0023-0032] 锑、金冶炼工艺方法
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  [CS536-0095-0034] 四方相掺杂钽铌酸钾晶体及其生长工艺
  [CS536-0107-0035] 一种三硫化二铈的制备方法
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  [CS536-0146-0038] 改善无位错单晶的成品率的方法
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