可控硅直流电参数测试台

一、可控硅直流电参数测试台是晶闸管静态参数检验测试中不可缺少的专用测试设备。 该套测试设备主要有以下几个单元组成： 1)门极触发参数测试单元 2)维持电流测试单元 3)阻断参数测试单元 4)通态压降参数测试单元 5)电压上升率参数测试单元 6)擎住电流 7)门极电阻 8)计算机控制系统 9)合格证标签打印 10)夹具单元；包含平板夹具和模块夹具 二、技术条件 主要技术指标： 2.1 门极触发电压/门极触发电流测试单元IGT/VGT 1.阳极电压：12V; 2.阳极串联电阻：6Ω; 3.门极触发电压：0.3～5.00V±3%±10mV; 4.门极触发电流：2～450mA±3%±1 mA; 2.2 维持电流测试单元IH 1. 阳极电压：12V; 2.预导通电流： ＞10A,正弦衰减波； 3.维持电流： 2～450mA ±5%±1 mA; 4.测试频率：单次； 2.3 通态压降测试单元VTM 1.平板器件通态电流：0.10～5.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%； 2.模块器件通态电流：0.10～2.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%； 3. 电流上升沿时间：≥5ms； 4. 通态压降测试范围： 0.20～10.00V, 分辨率：0.01V，精度±0.1 V±5%； 5. 测试频率：单次； 2.4 断态电压/断态漏电流VD/ID；反向电压/反向漏电流VR/IR测试单元 1.阻断电压：0.20～6.00kV,分辨率：0.01kV，精度±0.1 kV±3%； 模块单元阻断电压：0.20～4.00kV 2. 正反向自动测试： 3．正/反向漏电流：0.2～100 mA,分辨率：0.1 mA； 精度：±5%±1 mA； 4. 输出保护电压和电流可计算机设定范围值；在测试时电压或漏电流超过所 设定的范围则自动保护。 5. 测试频率： 50HZ 2.5 断态电压临界上升率测试单元dv/dt 1.电压：1200V,1600V,2000V三档，分辨率：1V，精度±5%； 2. 电压过冲范围：＜50V±10% 3. DV/DT电压上升率三挡选择：dv/dt：800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%； 2.6 擎住电流IL：100-1800mA 2.7 平板夹具压力范围：6-60KN，气动加压方式 核心业务为半导体功率器件测试设备的研制生产，参数测试设备： 静态参数测试；动态参数（开通关断/反向恢复/短路/安全工作区）测试 等）；雪崩能力测试，老化测试 可控硅/晶闸管（参数测试设备： 静态参数测试；动态参数测；浪涌参数测试；老化可靠性测试（高温阻断）；热阻参数测试。