可控硅门极触发测试台

一、可控硅门极触发测试台是晶闸管静态参数检验测试中不可缺少的专用测试设备。 二、可控硅门极触发测试台主要技术指标： 2.1 门极触发电压/门极触发电流测试单元IGT/VGT 1.阳极电压：12V; 2.阳极串联电阻：6Ω; 3.门极触发电压：0.3～5.00V±3%±10mV; 4.门极触发电流：2～450mA±3%±1 mA; 2.2 维持电流测试单元IH 1. 阳极电压：12V; 2.预导通电流： ＞10A,正弦衰减波； 3.维持电流： 2～450mA ±5%±1 mA; 4.测试频率：单次； 2.3 通态压降测试单元VTM 1.平板器件通态电流：0.10～5.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%； 2.模块器件通态电流：0.10～2.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%； 3. 电流上升沿时间：≥5ms； 4. 通态压降测试范围： 0.20～10.00V, 分辨率：0.01V，精度±0.1 V±5%； 5. 测试频率：单次； 2.4 断态电压/断态漏电流VD/ID；反向电压/反向漏电流VR/IR测试单元 1.阻断电压：0.20～6.00kV,分辨率：0.01kV，精度±0.1 kV±3%； 模块单元阻断电压：0.20～4.00kV 2. 正反向自动测试： 3．正/反向漏电流：0.2～100 mA,分辨率：0.1 mA； 精度：±5%±1 mA； 4. 输出保护电压和电流可计算机设定范围值；在测试时电压或漏电流超过所 设定的范围则自动保护。 5. 测试频率： 50HZ 2.5 断态电压临界上升率测试单元dv/dt 1.电压：1200V,1600V,2000V三档，分辨率：1V，精度±5%； 2. 电压过冲范围：＜50V±10% 3. DV/DT电压上升率三挡选择：dv/dt：800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%； 2.6 擎住电流IL：100-1800mA 2.7 平板夹具压力范围：6-60KN，气动加压方式 通过我们自己研发的各种产品，比如像半导体器件测试仪，加快了半导体各类材料、半导体器件和先进工艺的开发，完成制程控制、可靠性分析和故障分析；诸如IGBT静态参数测试系统、IGBT动态参数测试系统，它们可以满足对IGBT的大电流、高电压的测试要求，是检测半导体器件的关键设备；还有像雪崩能量测试仪、晶闸管电参数测试仪、二极管电参数测试仪、功率模块可靠性测试仪、模块高温阻断试验设备等产品，做的也是相当的出彩，这就是我对我们的产品十分的有信心，这就是我们团队所有的力量。质量是企业长远生存的根基，是企业竞争的免死金牌，质量在心中，责任在肩上，诚信在言行中，相信我们国标标准，控在品质！