IRF7103

采用的工艺技术超低电阻双n通道MOSFET表面安装可在磁带和卷轴动态dv/dt评级快速切换

来自国际整流器的第四代六元利用先进的处理技术来实现每个硅区域的最低电阻。这一好处，再加上HEXFETPowerMOSFETs著的快速切换速度和坚固的设备设计，为设计师提供了一个极其高效的设备，用于广泛的应用。SO-8通过定制的引线框架进行了改进，以增强热特性和双模能力，使其在各种电力应用中非常理想。有了这些改进，多个设备可以在应用程序中使用，并大大减少了板空间。该包是专为蒸汽相，红外线，或波焊接技术。在典型的PCB安装应用中，功耗可能大于0.8W。