IRLR3636PBF

IRLR3636PBF
规格信息：
封装/外壳：DPAK
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：50A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值）：6.8 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值）：2.5V @ 100?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值）：49nC @ 4.5V
Vgs（大值）：±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值）：3779pF @ 50V
功率耗散（大值）：143W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
系列：HEXFET?
FET类型：N 沟道
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：50A（Tc）
驱动电压（大RdsOn，小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（大值）：2.5V @ 100?A
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（大值）：49nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（大值）：3779pF @ 50V
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（大值）：6.8 毫欧 @ 50A，10V
封装形式Package：DPAK
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：60V
连续漏极电流ID：99A
供应商器件封装：D-Pak
无铅情况/RoHs：否