导电四探针方块电阻测试仪

a——接触半径，单位为厘米（cm）； 电流换向开关 化学实验室器具，如;塑料烧杯，量杯和适用于酸和溶剂的涂塑慑子等。试样制备如试样表面洁净，符合测试条件可直接测试，否则，按下列步骤清洗试样后测试∶试样在甲纯中源洗1min。如必要，在甲纯中多次源洗，直到被干燥的试样无污迹为止。将试样干燥。 放入轻氟酸中清洗1 min。 用纯水洗净。 用甲纯源洗干净， 用氮气吹干。 使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。 探针（带有弹簧及外引线）之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω. 探针排列和间距，四探针应以等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合 GB/T 552中的规定。 用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置的时间应足够长，达到热平衡时，试样温度为23 ℃±1℃. 等式成立需符合如下三个假定条件：a)两个探针之间的距离必须大于10倍a；b)样品电阻率需均匀一致；c)不能形成表面保护膜或接触势垒。 干扰因素探什材料和形状及其和硅片表面接触是否满足点电流源注人条件会影响测试精度。 可采用恒压法，恒流法和对数比较器法，其电路图分别见图1、图2、图3，具体计算公式分别见式（2）、式（3）、式（4）。 GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法提要 GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 甲纯99.5%。 干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具有45"～150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35 μm~100μm.100 μm~ 电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV~100mV，分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小 方法原理扩展电阻法是一种实验比较法。该方法是先测量重复形成的点接触扩展电阻，再用校准曲线来确定被测试样的探针接触点附近的电阻率。扩展电阻R是导电金属探针与硅片上一个参考点之间的电势降与流过探针的电流之比。 试剂轻氰酸，优级纯，纯水，25 ℃时电阻率大于 2 MN·cm。 250 μm 的半球形或半径为 50 μm~125 μm 的平的圆截面。 对于电阻率均匀一致的半导体材料来说，探针与半导体材料接触半径为a的扩展电阻用式（1）来表示： 标准电阻;按表2的薄层电阻范围选取所需的标准电，精度0.05 级 本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A~5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量晶确度尚未评估。 GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法 GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法 在中国彪准分类中，四探针法涉及到半金属与半导体材料综合、金属物理性能试验方法、、、电工合金零件、特种陶瓷、质谱仪、液谱仪、能谱仪及其联用装置、电阻器、半导体集成电路、工程地质、水文地质勘察与岩土工程、水环境有毒害物质分析方法、电工材料和通用零件综合、半金属、元素半导体材料、金属无损检验方法。 恒意源，按表1的推荐值提供试样所需的电流，精度为±0.5%. 国季彪准分类中，四探针法涉及到半导体材料、金属材料试验、绝缘流体、兽医学、复合增强材料、电工器件、无损检测、集成电路、微电子学、土质、土壤学、水质、电子显示器件、有色金属。 测量条件和步骤整个测试过程应在无光照，无离频和无振动下进行。 探针与试样压力分为小于0.3 N及0.3 N~0.8N两种。 双刀双撑电位选择开关。 GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 于10*0.电子测量装置适用性应符合GB/T 1552 的规定。 欧娇表，能指示阻值高达 10°日 的漏电阻. 温度针o℃～40 ℃，醉小刻度为0.1 ℃。R——扩展电阻，单位为欧姆（Ω）。 式中：——电阻率，单位为欧姆厘米（Ω·cm）； 对于薄层厚度小于3μm的试样，选用针尖半径为 100 μm~250 μm的半球形探针或针尖率径为50 μm～125 pm平头探针，针尖与试样间压力为0.3 N~0.8Ni对于薄层厚度不小于3μ的试样，选用针尖半径为 35 μm~100 pm 半球形操针，针尖与试样间压力不大于0.3 N. 下列文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的醉新版本。凡是不注日期的引用文件，其醉新版本适用于本标准。 GB/T 1552 硅、储单晶电阻率测定 直排四探针法 范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果， 电压表输入阻抗会引入测试误差。 硅片几何形状，表面粘污等会影响测试结果。 样品台和操针架样品台和探针架应符合 GB/T152 中的规定。 样品台上应具有旋转 360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，