Hakuto 离子刻蚀机

某半导体公司为了去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率, 同时提高晶圆的均匀度, 采用 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 用于半导体晶圆刻蚀. ? Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下: portant;"> 离子蚀刻机 Ф4 inch X 6片 portant;"> 基板尺寸 portant;"> < Ф3 inch X 8片 < Ф4 inch X 6片 < Ф8 inch X 1片 portant;"> 样品台 portant;"> 样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转 portant;"> 离子源 portant;"> 20cm 考夫曼离子源 portant;"> 均匀性 portant;"> ±5% for 8”Ф portant;"> 硅片刻蚀率 portant;"> 20 nm/min portant;"> 温度 portant;"> <100 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数: portant;"> 离子源型号 portant;"> RFICP 220 portant;"> Discharge portant;"> RFICP 射频 portant;"> 离子束流 portant;"> >800 mA portant;"> 离子动能 portant;"> 100-1200 V portant;"> 栅极直径 portant;"> 20 cm Φ portant;"> 离子束 portant;"> 聚焦, 平行, 散射 portant;"> 流量 portant;"> 10-40 sccm portant;"> 通气 portant;"> Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 portant;"> 典型压力 portant;"> < 0.5m Torr portant;"> 长度 portant;"> 30 cm portant;"> 直径 portant;"> 41 cm portant;"> 中和器 portant;"> LFN 2000 * 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现晶圆反应面均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高晶圆的加工质量. 运用结果： 1. 有效去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率 2. 晶圆的均匀度得到良好提高 3. 晶圆的加工质量得到明显提高 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 : 上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐 T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049 M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958 ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw 伯东版权所有, 翻拷必究！