hakuto 离子刻蚀机 10I

华中某实验室采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE制作面阵石英 DNA芯片模板. Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数: 基板尺寸 < Ф8 X 1wfr 样品台 直接冷却（水冷）0-90 度旋转 离子源 16cm 考夫曼离子源 均匀性 ±5% for 4”Ф 硅片刻蚀率 20 nm/min 温度 <100 v:shapes="_x0000_i1025"> Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源KDC 160 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC160 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 160 Discharge DC 热离子 离子束流 >650 mA 离子动能 100-1200 V 栅极直径 16 cm Φ 离子束 聚焦, 平行, 散射 流量 2-30 sccm 通气 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 典型压力 < 0.5m Torr 中和器 灯丝 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度. 采用 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 制作的芯片模板较其他手段制作的同类器件而言, 其表面微结构形貌上的特点更有利于DNA序列样本与芯片模板的吸附耦合. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 : 上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐 T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049 M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958 ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw 伯东版权所有, 翻拷必究!