离子蚀刻机10IBE用于提升碳化

某光学元件制造商为了优化碳化硅微光学元件, 降低碳化硅微光学元件表面粗糙度, 采用 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对其进行优化. Hakuto 离子蚀刻机 10IBE技术参数: portant;"> 基板尺寸 portant;"> < Ф8 X 1wfr portant;"> 样品台 portant;"> 直接冷却（水冷）0-90 度旋转 portant;"> 离子源 portant;"> 16cm 考夫曼离子源 portant;"> 均匀性 portant;"> ±5% for 4”Ф portant;"> 硅片刻蚀率 portant;"> 20 nm/min portant;"> 温度 portant;"> <100 该制造商采用的 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数： portant;"> 离子源型号 portant;"> 离子源 KDC 160 portant;"> Discharge portant;"> DC 热离子 portant;"> 离子束流 portant;"> >650 mA portant;"> 离子动能 portant;"> 100-1200 V portant;"> 栅极直径 portant;"> 16 cm Φ portant;"> 离子束 portant;"> 聚焦, 平行, 散射 portant;"> 流量 portant;"> 2-30 sccm portant;"> 通气 portant;"> Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 portant;"> 典型压力 portant;"> < 0.5m Torr portant;"> 长度 portant;"> 25.2 cm portant;"> 直径 portant;"> 23.2 cm portant;"> 中和器 portant;"> 灯丝 * 可选: 可调角度的支架 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 配的是 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持刻蚀室的真空度. 其产品优势: 1.结构紧凑但功能强大的涡轮泵，用于 N2 时的最高抽速可达 685 l/s 2.最佳真空性能，最低功耗 3.集成的带 Profibus 的驱动电子装置 TC 400 4.可在任何方向安装 5.带有集成型水冷系统以保证最大气体流量 6.通过 M12 插接头的 Profibus 连接 7.广泛的配件扩展使用范围 运行结果: 1. 经过 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碳化硅微纳结构进行刻蚀, 以调控结构的线宽和深度, 使结构表面粗糙度由约106nm降低到11.8nm. 2. 碳化硅菲涅尔波带片展现出良好的聚焦和成像效果. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 : 上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐 T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049 M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958 ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw 伯东版权所有, 翻拷必究！