半导体材料黄金提纯设备

半导体材料提纯常用设备

半导体材料所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一类是不改变材料的化学组成进行提纯，称为物理提纯；另一类是把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后的化合物还原成元素，称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等，使用多的是区域精制。化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等，使用多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。

微行牌提纯炉由气体，高温，真空而组成，对材料内面的各种元素按照不同温度控制，不同环境控制。进行多方位雾化，碳化，分离，使材料达到你理想的纯度。

绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用，80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备单晶，而垂直定向结晶法用于制备。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。

（一）主要功能：

1、自动控制系统：设备抽真空、充氢气、氧含量检测、真空室气压监测等控制和联动采用PLC自动控制，减少人工操作的人为误差，提高设备性。

2、氧含量检测系统：设置有在线氧含量检测仪，测量范围在1--10000ppm之间，显示并反馈数据到自动控制系统，使真空系统和检测值联系在一起，炉内氧含量达到设定值时自动启动真空系统，保证设备正常使用时的安    全性。

3、采用双层壳体结构，结合热感应技术。

4、上开式炉盖设计，可以实时观察加热的物料，并能迅速降温，满足材料骤冷骤热的生产需要；

5、工作方式： 高温下氢气微正压处理+真空处理循环5次，氢气气氛自然降温。

6、充气压力：不大于0.05MPa （微正压）

7、常用气体:氢气，氮气，氧气和氩气及其它惰性气体，配有氢气检露装置，当氢气泄露了自动报警。

8、具有开启断电，超温报警，漏电保护等安   全操作功能。

9.从室温30度到你需要的温度可以全程控制时间温度。超温保护系统：当温度失控时，超过超温保护器设定温度时，自动停止加热供电，从而保护你的产品及机器的安   全；长期使用一个温度时想温度，可以随时联系我方售后解决，帮你矫正温度。

（二）产品技术参数：

1.产品型号： TF1200-60-HV-PLC（1500）

2.炉管尺寸： 进口石英管，60*2000mm。内径50mm（高温下化学稳定性强，耐腐蚀，热膨胀系数极小，能承受骤冷骤热）

3.加热区：1500MM

4.恒温区：1200MM

5.电源电压：AC 220V,50/60Hz

6.加热功率：9KW

7.设备总功率：10Kw

8.控制中枢：10寸触摸屏

9.控温精度 ：控温精度±1℃

10.极限温度：1100℃

11.温度均匀性：±5℃

12.升温速率： ≤30℃/min（快）

13.降温速率：700℃以上≤10℃/min

14.测温传感器： N型热电偶

15.电热丝： 康泰尔A1合金丝

16.炉 膛： 中日合资 1500型氧化铝多晶纤维一体成型，（收缩率小，导热系数低，保温效果好，耐用节能）

19.控温仪表：厦门宇电 AI系列仪表，模糊PID控制和自整定调节功能。

（三）、可实现真空系统：

1.极限真空度： 1.33*10^-4Pa

2.复合真空计： ZDF-5227 测量范围 1.0*10⁵~1.0*10^-5Pa