PECVD

（一）产品用途：材料还原，材料提纯，对于石墨烯生长。制作硅片可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜，对于离子注入后的贵金属，各种黄金首饰，金刚石等材料的抗弯强度和磨耗也有了较大幅度的提高。并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。适用于集成电路与半导体研发。也可做：于稀土制备、电子照明、晶体退火、生物陶瓷、电子陶瓷、特种合金、磁性材料、精密铸造、金属热处理等行业进行真空烧结、气氛保护烧结、CVD实验、物质成分测量等场合使用。

（二）主要功能和特点：

1.此款设备配有Plasma实现等离子增强，滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个快速的升温速度，同样也可将高温的管式炉直接推离样品处，使样品直接暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。

2、利用辉光放电产生等离子体电子激活气相；

3、提高了气相反应的沉积速率、成膜质量；

4、可通过调整射频电源频率来控制沉积速率；

4、能广泛用于：石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生长。

5.常用气体：氮气，氩气，氢气，甲烷四种气体混合使用。比例咨询专家。

6.氢气安全系统：配有氢气瓶检露柜，氢气点火装置。