RMS-1000P高温四探针测量

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商品详细描述

Partulab RMS-1000P高温四探针测量系统主要用于评估半导体薄膜和薄片的导电性能,该系统采用直排四探针测量原理和单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准设计研发,可以实现高温、真空及惰性气氛条件下测量硅、锗 单晶(棒料、晶片)电阻率和硅外延层、扩散层和离子注 入层的方块电阻以及测量导电玻璃(ITO)和其它导电薄膜的方块电阻和电阻率。该系统广泛应用于高校科研院所和企业单位半导体薄膜和薄片材料电学性能研究。

技术规范:

测量温度:RT-1000℃

测量组合:四探针双电测组合测量

升温斜率:0-10℃/min (典型值:3℃/min)

样品尺寸:φ15~30mm,d<4mm薄片或薄膜

控温精度:±0.5℃

电极材料:碳化钨针

电阻测量范围:0.1mΩ~1MΩ

针尖绝缘电阻:≥1000MΩ

电阻率测量范围:0.01mΩ.cm~100KΩ.cm

绝缘材料:99氧化铝陶瓷

电导率测量范围:0.00001s/cm~100000s/cm

供电:220V±10%,50Hz

功能特点:

★ 高温炉膛、测量夹具、显示及软件集成于一体,测量精度更高,仪器更加稳定且易维护;

★RMS系列机型采用RAM嵌入式开发平台,可以进行在线升级、远程协助及故障诊断;

多功能真空电学加热炉可实现高温、真空、气氛测量环境;

★ 炉膛采用进口金属材料,耐高温、抗氧化,可实现多种环境下的电学测量;

采用三段PID控温,实现不同温度区间的控温,控温精度达到±0.5℃;

炉膛升温故障诊断监控设计,随时监测炉膛运行情况

电测组合测量,消除探针和样品的自身影响;

系统自带温度校准功能,让测量温度尽可能与样品实际温度保持一致。

集成一体化设计,触摸屏控制和显示,具有卓越的易用性

可以实现常温、变温、恒温条件的I-V、R-T、R-t等测量功能

可以分析电阻率pv与温度T的变化曲线

四线法电阻测量原理

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