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1995 年,由美国麻省理工学院和日本东北大学的两个研究小组独立发现,将两个磁性电极层之间用极薄的绝缘层分开会产生很大的磁电阻效应(室温下达到11%)。这种由磁性层/绝缘层/磁性层构成的结构,称为磁性隧道结(MTJ)。在MTJ 中,中间的绝缘层很薄(几个纳米),使得可以有大量电子隧穿通过。通过隧道结的电流依赖于两个磁性层的磁化强度矢量的相对取向。这种隧穿电流随外磁场变化的效应被称为隧道磁电阻(TMR)效应。隧道磁电阻效应可以由Julliere 双电流模型解释。假定电子在隧穿过程中自旋不发生翻转,并且隧穿电流正比于费米面附近电子的态密度。当MTJ两侧铁磁层处于平行排列时,左侧的少子电子向右侧的少子空态隧穿,左侧的多子电子向右侧的多子空态隧穿,MTJ 处于低阻态;当MTJ两侧铁磁层处于反平行排列时,左侧的少子电子向右侧的多子空态隧穿,而左侧的多子电子向右侧的少子空态隧穿,MTJ 呈现高阻态。
由于贴合TMR器件与超导磁放大器的低温胶过厚导致TMR—超导磁放大器间距过大(50 μm),颜色传感器,使得TMR/超导复合式磁传感器的灵敏度、探测精度较GMR/超导复合式磁传感器、SQUID 等器件仍有明显差距。理论计算表明,减小TMR—超导磁放大器间距将使得磁场放大倍数呈指数形式上升;若能将TMR—超导磁放大器间距降低至0.5 μm以内,磁场放大倍数可接近1000 倍。今后可通过热压印等技术减小TMR—超导磁放大器间距,从而提高器件的灵敏度。
传感器CCD和CMOS的主要参数
1. 像元尺寸
像元尺寸指芯片像元阵列上每个像元的实践物理尺寸,通常的尺寸包括14um,10um, 9um , 7um , 6.45um ,3.75um 等。像元尺寸从某种水平上反映了芯片的对光的响应才能,像元尺寸越大,可以接纳到的光子数量越多,在同样的光照条件和曝光时间内产生的电荷数量越多。关于弱光成像而言,像元尺寸是芯片灵活度的一种表征。
2. 灵活度
灵活度是芯片的重要参数之一,它具有两种物理意义。一种指光器件的光电转换才能,与响应率的意义相同。即芯片的灵活度指在一定光谱范围内,单位曝光量的输出信号电压(电流),识别颜色传感器,单位能够为纳安/勒克斯nA/Lux、伏/瓦(V/W)、伏/勒克斯(V/Lux)、伏/流明(V/lm)。另一种是指器件所能传感的对地辐射功率(或照度),与探测率的意义相同,。单位可用瓦(W)或勒克斯(Lux)表示。
空气流量计/进气压力传感器,节气门位置zd传感器,水温传感器,曲轴位置传感器,氧传感器,爆震传感器,车速传感器现在的车子基本上都有以上这些传感器,越的车子传感器也就多,前六个传感器是保证汽车正常运行基本的条件。进气压力传感器:检测进气歧管内的压力的大小,给ECU一个控制喷油脉宽的基准信号。空气流量计:检测进入发动机的空气量,给ECU一个控制喷油脉宽基准信号。曲轴位置传感器:检测上止点信号,颜色传感器发展历程,曲轴转速信号,控制点火的各缸上版止点信号,控制顺序喷油的一缸上止点信号。
节气门位置传感器:通过检测节气门的开度,提供给ECU一个作为断油,米兔积木机器人颜色传感器,控制空燃比,修正点火提前角的基准信号。水温传感器:检测发动机冷却水的温度,ECU根据水温修正喷油量,点火提前角。氧传感器:检测排出废气中氧气的含量,修正喷油量,使其保持在权理论值。
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