数字ic 后端

数字ic设计之综合介绍

在数字IC设计流程中，前端设计工程师，根据SPEC，宝安区数字ic，完成RTL实现之后，有一步非常重要的环节，就是综合，那么什么是综合呢？

综合是一种在众多结构、速度、功能已知的逻辑单元库的基础上，以满足时序、面积、逻辑网络结构为目标的从寄存器传输级（RTL）到门级的映射方案，它将行为级描述，映射成为了要求工艺库下的，标准门单元电路的拓扑连接。

瑞泰威驱动IC厂家，是国内IC电子元器件的代理销售企业，专业从事各类驱动IC、存储IC、传感器IC、触摸IC销售，品类齐全，具备上百个型号。

I老化原因？C

为什么老化跟时间有关？

为什么电路速度会随时间原来越慢呢？因为断键是随机发生，需要时间积累。另外，前面提到的断裂的Si-H键是可以自己恢复的，所以基于断键的老化效应都有恢复模式。对于NBTI效应来说，加反向电压就会进恢复模式；对于HCI效应来说，停止使用就进入恢复模式。但是这两种方式都不可能长时间发生，所以总的来说，芯片是会逐渐老化的。

为什么老化跟温度有关？

为什么电路速度跟温度也有影响呢？温度表示宏观物体微观粒子的平均动能。温度越高，电子运动越剧烈，Si?HSi?H键断键几率就大。

为什么加压会加速老化？

为什么加压有影响呢？同样的晶体管，供电电压越高偏移电压越高，偏移电压越高氢原子游离越快，等于压制了自发的恢复效应，自然老化就快了。

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1. 数据准备。

　　对于 CDN 的 Silicon Ensemble而言后端设计所需的数据主要有是Foundry厂提供的标准单元、宏单元和I/O Pad的库文件，它包括物理库、时序库及网表库，数字ic 后端，分别以.lef、.tlf和.v的形式给出。前端的芯片设计经过综合后生成的门级网表，具有时序约束和时钟定义的脚本文件和由此产生的.gcf约束文件以及定义电源Pad的DEF（DesignExchange Format）文件。(对synopsys 的Astro 而言，经过综合后生成的门级网表，时序约束文件 SDC是一样的，Pad的定义文件--tdf ， .tf 文件 --technology file， Foundry厂提供的标准单元、宏单元和I/OPad的库文件就与FRAM，数字ic验证目的， CELL view， LM view 形式给出(Milkway 参考库 and DB，数字ic设计学什么， LIB file)

　　2. 布局规划。

　　主要是标准单元、I/O Pad和宏单元的布局。I/OPad预先给出了位置，而宏单元则根据时序要求进行摆放，标准单元则是给出了一定的区域由工具自动摆放。布局规划后，芯片的大小，Core的面积，Row的形式、电源及地线的Ring和Strip都确定下来了。如果必要在自动放置标准单元和宏单元之后，你可以先做一次PNA(power network analysis）--IR drop and EM .

　　3. Placement -自动放置标准单元。

　　布局规划后，宏单元、I/O Pad的位置和放置标准单元的区域都已确定，这些信息SE（SiliconEnsemble）会通过DEF文件传递给(PhysicalCompiler)，PC根据由综合给出的.DB文件获得网表和时序约束信息进行自动放置标准单元，同时进行时序检查和单元放置优化。如果你用的是PC+Astro那你可用write_milkway， read_milkway 传递数据。

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