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图像传感器,或称感光元件,是一种将光学图像转换成电子信号的设备,太阳能传感器颜色,它被普遍地应用在数码相机和其他电子光学设备中。早期的图像传感器采用模仿信号,如摄像管(video camera tube)。随着数码技术、半导体制造技术以及网络的疾速开展,市场和业界都面临着逾越各平台的视讯、影音、通讯大整合时期的到来,勾划着将来人类的日常生活的美景。
以其在日常生活中的应用,无疑要属数码相机产品,其开展速度能够用一日千里来形容。短短的几年,数码相机就由几十万像素,开展到400、500万像素以至更高。不只在兴旺的欧美国度,数码相机曾经占有很大的市场,就是在开展中的中国,数码相机的市场也在以惊人的速度在增长,因而,其关键零部件——图像传感器产品就成为当前以及将来业界关注的对象,吸收着众多厂商投入。以产品类别辨别,图像传感器产品主要分为CCD、CMOS以及CIS传感器三种。
TMR/超导复合式磁传感器
1995 年,由美国麻省理工学院和日本东北大学的两个研究小组独立发现,将两个磁性电极层之间用极薄的绝缘层分开会产生很大的磁电阻效应(室温下达到11%)。这种由磁性层/绝缘层/磁性层构成的结构,称为磁性隧道结(MTJ)。在MTJ 中,中间的绝缘层很薄(几个纳米),使得可以有大量电子隧穿通过。通过隧道结的电流依赖于两个磁性层的磁化强度矢量的相对取向。这种隧穿电流随外磁场变化的效应被称为隧道磁电阻(TMR)效应。隧道磁电阻效应可以由Julliere 双电流模型解释。假定电子在隧穿过程中自旋不发生翻转,并且隧穿电流正比于费米面附近电子的态密度。当MTJ两侧铁磁层处于平行排列时,左侧的少子电子向右侧的少子空态隧穿,左侧的多子电子向右侧的多子空态隧穿,MTJ 处于低阻态;当MTJ两侧铁磁层处于反平行排列时,左侧的少子电子向右侧的多子空态隧穿,颜色传感器,而左侧的多子电子向右侧的少子空态隧穿,颜色识别传感器,MTJ 呈现高阻态。
由于贴合TMR器件与超导磁放大器的低温胶过厚导致TMR—超导磁放大器间距过大(50 μm),使得TMR/超导复合式磁传感器的灵敏度、探测精度较GMR/超导复合式磁传感器、SQUID 等器件仍有明显差距。理论计算表明,减小TMR—超导磁放大器间距将使得磁场放大倍数呈指数形式上升;若能将TMR—超导磁放大器间距降低至0.5 μm以内,ev3 颜色传感器 作品,磁场放大倍数可接近1000 倍。今后可通过热压印等技术减小TMR—超导磁放大器间距,从而提高器件的灵敏度。
为了满足那些需要冗余传感器的系统要求,A1330可提供单芯片和双芯片版本,它们都包含有片上EEPROM技术,能够支持多达100次的读/写,可用于灵活的下线参数校准。
两个版本都非常适合需要0°至360°角度测量的车规级应用,例如EPS的电机位置测量,以及需要低延迟和高分辨率的泵类与变速箱执行器以及其他高速执行器。A1330还包括有片上角度缩放功能,以支持小至11.25°等需要较短角位移的应用,这些包括阀门位置、踏板位置和油箱油位感应等。
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