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1995 年,进口压力传感器,由美国麻省理工学院和日本东北大学的两个研究小组独立发现,将两个磁性电极层之间用极薄的绝缘层分开会产生很大的磁电阻效应(室温下达到11%)。这种由磁性层/绝缘层/磁性层构成的结构,称为磁性隧道结(MTJ)。在MTJ 中,中间的绝缘层很薄(几个纳米),使得可以有大量电子隧穿通过。通过隧道结的电流依赖于两个磁性层的磁化强度矢量的相对取向。这种隧穿电流随外磁场变化的效应被称为隧道磁电阻(TMR)效应。隧道磁电阻效应可以由Julliere 双电流模型解释。假定电子在隧穿过程中自旋不发生翻转,并且隧穿电流正比于费米面附近电子的态密度。当MTJ两侧铁磁层处于平行排列时,左侧的少子电子向右侧的少子空态隧穿,左侧的多子电子向右侧的多子空态隧穿,MTJ 处于低阻态;当MTJ两侧铁磁层处于反平行排列时,压力传感器故障,左侧的少子电子向右侧的多子空态隧穿,而左侧的多子电子向右侧的少子空态隧穿,MTJ 呈现高阻态。
由于贴合TMR器件与超导磁放大器的低温胶过厚导致TMR—超导磁放大器间距过大(50 μm),使得TMR/超导复合式磁传感器的灵敏度、探测精度较GMR/超导复合式磁传感器、SQUID 等器件仍有明显差距。理论计算表明,减小TMR—超导磁放大器间距将使得磁场放大倍数呈指数形式上升;若能将TMR—超导磁放大器间距降低至0.5 μm以内,压力传感器,磁场放大倍数可接近1000 倍。今后可通过热压印等技术减小TMR—超导磁放大器间距,机油压力传感器,从而提高器件的灵敏度。
CCD传感器优点
高解析度:像点的大小为μm级,可感测及识别精细物体,进步影像质量。从1寸、1/2寸、2/3寸、1/4寸到推出的1/9寸,像素数目从10多万增加到400~500万像素;
低杂讯高敏感度:CCD具有很低的读出杂讯和暗电流杂讯,因此进步了信噪比(SNR),同时又具高敏感度,很低光度的入射光也能侦测到,其讯号不会被掩盖,使CCD的应用较不受天候拘束;
动态范围广:同时侦测及分辨强光和弱光,进步系统环境的运用范围,不因亮度差异大而构成信号反差现象。
良好的线性特性曲线:入射光源强度和输出讯号大小成良好的正比关系,物体资讯不致损失,降低信号补偿处置本钱;
高光子转换效率:很微小的入射光映照都能被记载下来,若配合影像增强管及投光器,即使在暗夜远处的景物仍然还可以侦测得到;
作为目前被广泛使用的磁场传感器之一的霍尔传感器,在精密测量、工业自动化及家用电器,特别汽车电子等领域得到了出色的应用。随着IC产业的发展,其对测试仪器的要求越来越高,即要保证芯片的参数准确,又需要很,测试仪变得智能化。对霍尔传感器作了一些研究,对一款开关型双极霍尔传感器作了设计与分析。针对此霍尔芯片开发了霍尔测试仪,能够准确测出霍尔器件的各项性能参数。本文章简要概述了模拟集成电路的重要性及发展国内外发展现状,在此基础上引出了数模混合集成的霍尔传感器芯片,对霍尔传感器原理、应用和未来发展状况作了详细的描述。
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