步进电机驱动 ic 芯片

工业范畴很大，尤其是随着工业4.0概念的提出，国产驱动ic芯片企业，不止是数据采集、大数据分析、企业上云，还需要将分析处理完的数据返回到现场，南城街道驱动ic芯片，参与到具体的控制中，从而形成真正的闭环。而电机驱动作为整个闭环中的执行器环节，其性能好坏直接影响到整个闭环的性能。瑞泰威驱动IC厂家，是国内IC电子元器件的代理销售企业，专业从事各类驱动IC、存储IC、传感器IC、触摸IC销售，品类齐全，具备上百个型号。

因此，工业4.0对电机驱动提出了更高的性能和功能要求，例如更快的响应速度、更高的带宽、更高的精度的位置和速度控制、以及更丰富的网络互联功能等。同时，还迫切要求电机尺寸越来越小、功率密度越大越好，就像当前应用于工业机器人领域的书本型伺服驱动器，步进电机驱动 ic 芯片，通常还没有一本《新华字典》大。

用什么直流电机驱动芯片（四）

2.3 闭环调速系统

ML4428内部的调速系统是典型的直流电机PWM双闭环调速系统，如图4所示，在系统中设置两个调节器，分别调节转速和电流，二者之间实行串级联接，即以转速调节器的输出作为电流调节器，再用电流调节器的输出控制开关器件。这样组成的双闭环系统，在突加给定的过渡过程中表现为一个恒值电流调节系统，在稳态和接近稳态运行中又表现为无静差调速系统，即发挥了转速和电流两个调节器各自的作用，又避免了像单环系统那样两种反馈互相牵制的缺陷，从而获得良好的静、动态品质。

2.4 内部保护电路

ML4428内部具有电流检测和限流功能。外部功率元件MOSFET的源极电流流过RSENSE得到与电动机绕组电流成正比例的电压，经环路滤波器(该滤波器能滤除触发单稳电路的噪声尖峰电流，一般选样在时间常数300ns以内)到电流比较器的正端(ISNS引脚)，比较器的负端有钳位电压为0.5V的二极管，因此可以限制电机定子电路的峰值电流为10A时，则RSENSE=0.5/10=0.05Ω。当电流检测电路的电压高于比较器负端电压时，单稳态电路被触发，驱动ic芯片图片，关断输出MOSFET，电流下降，直至单稳电流被复位。

ML4428正常电源供给为+12V，在电源低于8.75V时，6个输出驱动器将全部关断。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

输出特性与转移特性：

IGBT的伏安特性是指以栅极电压VGE为参变量时，集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似，也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅极电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅极电压VGE小于开启电压VGE(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，IC与VGE呈线性关系。

IGBT与MOSFET的对比：

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

主要优点：热稳定性好、安全工作区大。

缺点：击穿电压低，工作电流小。

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