三位led驱动ic

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igbt驱动电路的简介

IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,led驱动器ic,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。



IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,黄埔区led驱动ic,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。



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聚积目前除了与中国品牌手机客户合作,在小间距LED显示屏的画面质量逐渐朝向高标准HDR,MiniLED HDR 10的se域范围BT.2020,明年首季开始大量产出,对比度已达到25,000:1,由于HDR能表现出与人眼所能感知的动态范围相近,提高画面亮度,控制暗部画面的亮度,强化明暗画面之间的对比度,营造出更加接近现实的自然观感,因此,聚积目前已与韩系客户洽谈合作,跨入大型屏幕剧院开发,可望在2019年传来佳音。



通用芯片一般用于LED显示屏的低端产品,如户内的单、双色屏等。的通用芯片是74HC595,具有8位锁存、串一并移位寄存器和三态输出功能。每路可输出35 mA的非恒流的电流。

输出电流:目前主流的恒流源LED驱动芯片输出电流多为每通道90 mA左右。每通道同时输出恒定电流的值对显示屏更有意义,因为在白平衡状态下,要求每通道都同时输出恒流电流。

恒流输出通道数:恒流源输出通道有8位和16位两种规格,现在16位占主流,其主要优势在于减少了芯片尺寸,便于LED驱动板(PCB)布线,特别是对于点间距较小的LED驱动板更有利。的电流输出:一种是同一个芯片通道间电流误差值;另一种是不同芯片间输出电流误差值。




精度的电流输出是个很关键的参数,对LED显示屏的显示均匀性影响很大。误差越大,显示均匀性越差,很难使屏体达到白平衡。目前主流恒流源芯片的位间电流误差( bit to bit )一般在±3%以内,(chip to chip)片间电流误差在±6%以内。数据移位时钟:其决定了显示数据的传输速度,是影响显示屏的更新速率的关键指标。作为大尺寸显示器件,显示刷新率应该在85Hz以上,才能保证稳定的画面(无扫描闪烁感)。较高的数据移位时钟是e5a48de588b6e799bee5baa6e79fa5e9819331333365643636显示屏获取高刷新率画面的基础。目前主流恒流源驱动芯片移位时钟频率一般都在15-25 MHz以上。


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