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对IGBT驱动电路有什么要求

IGBT对驱动电路的要求：

(1)提供适当的正反向电压，驱动ic厂家网，使IGBT能可靠地开通和关断。当正偏压增大时IGBT通态压降和开通损耗均下降，但若UGE过大，则负载短路时其IC随UGE增大而增大，对其安全不利，使用中选UGEν15V为好。负偏电压可防止由于关断时浪涌电流过大而使IGBT误导通，一般选UGE=-5V为宜。

(2)IGBT的开关时间应综合考虑。快速开通和关断有利于提高工作频率，减小开关损耗。但在大电感负载下，IGBT的开频率不宜过大，因为高速开断和关断会产生很高的尖峰电压，及有可能造成IGBT自身或其他元件击穿。

(3)IGBT开通后，驱动电路应提供足够的电压、电流幅值，使IGBT在正常工作及过载情况下不致退出饱和而损坏。

(4)IGBT驱动电路中的电阻RG对工作性能有较大的影响，RG较大，有利于抑制IGBT的电流上升率及电压上升率，但会增加IGBT的开关时间和开关损耗;RG较小，会引起电流上升率增大，使IGBT误导通或损坏。RG的具体数据与驱动电路的结构及IGBT的容量有关，一般在几欧～几十欧，小容量的IGBT其RG值较大。

(5)驱动电路应具有较强的抗干扰能力及对IG2BT的保护功能。IGBT的控制、 驱动及保护电路等应与其高速开关特性相匹配，手机屏驱动ic厂家直销，另外，在未采取适当的防静电措施情况下，G—E断不能开路。

MOSFET几种典型驱动电路（一）

MOSFET数字电路

数字科技的进步，如微处理器运算效能不断提升，带给深入研发新一代MOSFET更多的动力，驱动ic厂家，这也使得MOSFET本身的操作速度越来越快，几乎成为各种半导体主动元件中快的一种。MOSFET在数字信号处理上的成功来自CMOS逻辑电路的发明，这种结构好处是理论上不会有静态的功率损耗，只有在逻辑门（logic gate）的切换动作时才有电流通过。CMOS逻辑门基本的成员是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS逻辑门的基本操作都如同反相器一样，在逻辑转换的瞬间同一时间内必定只有一种晶体管（NMOS或是PMOS）处在导通的状态下，另一种必定是截止状态，这使得从电源端到接地端不会有直接导通的路径，大量节省了电流或功率的消耗，也降低了集成电路的发热量。

MOSFET在数字电路上应用的另外一大优势是对直流（DC）信号而言，MOSFET的栅极端阻抗为无限大（等效于开路），也就是理论上不会有电流从MOSFET的栅极端流向电路里的接地点，而是完全由电压控制栅极的形式。这让MOSFET和他们的竞争对手BJT相较之下更为省电，而且也更易于驱动。在CMOS逻辑电路里，除了负责驱动芯片外负载（off-chip load）的驱动器（driver）外，每一级的逻辑门都只要面对同样是MOSFET的栅极，如此一来较不需考虑逻辑门本身的驱动力。相较之下，BJT的逻辑电路（例如常见的TTL）就没有这些优势。MOSFET的栅极输入电阻无限大对于电路设计工程师而言亦有其他优点，例如较不需考虑逻辑门输出端的负载效应（loading effect）。

LED电源驱动IC烧掉的原因有电器元件IC本身有问题，也可能是电流电压过高。

LED需要的电流和电压的稳定组件，在工作时，应当具有高的分压电压和低功耗的，否则，的LED会降低整个系统的效率，因为工作消耗高，液晶面板驱动ic厂家排名，矛盾的原则，节能和。因此，主电流限制电路，应使用高效的电路，如电容，电感或与电源开关电路，因为它有可能代替电阻或串联稳压电路的LED系统，以确保。系列恒功率输出电路，可以在广泛的电源LED的光输出保持不变，但会失去一些正常的IC电路效率。通过与电源开关电路是能保证恒定的功率输出下具有高的转印效率的电源供应器的戏剧性的电压变化。

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