发电光伏板回收

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电池片丝网印刷技术

1  引言  

随着全球能源的日趋紧张，太阳能以无污染、市场空间大等独有的优势受到世界各国的广泛重视，国际上众多大公司投入太阳能电池研发和生产行业。从太阳能获得电力，需通过太阳能电池进行光电变换来实现，硅太阳能电池是一种有效地吸收太阳能辐射并使之转化为电能的半导体电子器件，广泛应用于各种照明及发电系统中。

2  硅太阳能电池的生产工序  

太阳能电池原理主要是以半导体材料硅为基体，利用扩散工艺在硅晶体中掺入杂质：当掺入硼、磷等杂质时，硅晶体中就会存在着一个空穴，形成 n 型半导体；同样，掺入磷原子以后，硅晶体中就会有一个电子，形成 p 型半导体， p 型半导体与 n 型半导体结合在一起形成 pn 结，当太阳光照射硅晶体后， pn 结中 n 型半导体的空穴往 p 型区移动，而 p 型区中的电子往 n 型区移动，从而形成从 n 型区到 p 型区的电流，在 pn 结中形成电势差，这就形成了电源。

硅太阳能电池生产的主要工序，从中可以看出丝网印刷是生产太阳能电池的重要工序，其印刷质量（厚度，宽度，膜厚一致性）影响电池片的技术指标。

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四、 铝珠：

铝珠产生的根本原因是过烧，铝的熔点是660℃，当铝受热超过这一温度时，铝颗粒熔化形成了铝珠。通常，烧结炉的设置温度都远高于这一温度，这里所说的660℃是指电池片表面实际感受的温度，设置的温度虽高，由于烧结炉带速很快，铝层实际感受到的温度是远低于设置温度的。

解决这一问题的办法是降下烧结区温度，或是加快烧结炉的带速，减少热量的给予。此法效果非常明显，铝珠可得到有效控制。另一方面过分降温会损失电池片的电性能数据，那么降到什么程度呢，我们的经验是，降温到电池片背面手感略微粗糙即可。

五、 铝刺：

1、 背场印刷表面不均匀:检查刮条的平整度；

2、 烧结网带不洁净：清洗网带或对忘带进行打磨；

3、 烧结网带抖动严重：由设备人员来调整网带；

4、 烧结温度过高：不影响电性能的情况下降下烧结温度；

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影响因素

1 ．频率

射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率（ >4MHz ）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。

2 ．射频功率

增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。

3 ．衬底温度

PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 ．气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。

5 ．反应气体浓度

SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及物化性质均有重大影响。

理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 SiN 。因此，必须控制气体中的 SiH4 浓度，不宜过高，并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。

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