厂商 ：北京泰科诺科技有限公司
北京 北京- 主营产品：
磁控溅射镀膜设备及技术
北京泰科诺科技有限公司自2003年成立以来，一直专注于真空设备的研发、制造，集真空镀膜设备、真空应用设备等相关设备及工艺的研发、制造、销售、服务于一体的高新技术企业。主营产品蒸发镀膜机，磁控溅射镀膜机，电子束蒸发镀膜机，多弧离子溅射镀膜机，热丝CVD设备，装饰镀膜机，磁控溅射机批发，硬质涂层设备等。
磁控溅射机
磁控溅射镀膜设备及技术
（专利产品）该机采用磁控溅射镀膜（MSP）技术，是一种多功能、效率高的镀膜设备。可根据用户要求配置旋转磁控靶、脉冲溅射靶、中频孪生溅射靶、非平衡磁控溅射靶、霍尔等离子体源、考夫曼离子源、直流脉冲叠加式偏压电源等，组态灵活、用途广泛，主要用于金属或非金属（塑料、玻璃、陶瓷等）的工件镀铝、铜、铬、钛金、银及不锈钢等金属膜或非金属膜及渗金属DLC膜，所镀膜层均匀、致密、附着力强等特点，可广泛用于家用电器、钟表、工艺美术品、玩具、车灯反光罩以及仪器仪表等表面装饰性镀膜及工模具的功能涂层。2 离子轰击渗扩技术的特点(1) 离子轰击渗扩速度快 由于采用等离子溅射，为渗剂原子和离子的吸附和渗人创造了高度活化的表面，增加了晶体中缺陷的密度，比传统的气体渗扩技术速度明显提高。在同样工艺条件下，渗层深度在0.05二 之内，比气体渗扩提高1倍。在较高温度下，1h即可达lmm厚。(2)对工件表面改..
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磁控溅射中靶中毒是怎么回事，一般的影响因素是什么？
北京泰科诺科技有限公司自2003年成立以来，一直专注于真空设备的研发、制造，集真空镀膜设备、真空应用设备等相关设备及工艺的研发、制造、销售、服务于一体的高新技术企业。主营产品蒸发镀膜机，磁控溅射镀膜机，电子束蒸发镀膜机，多弧离子溅射镀膜机，磁控溅射机，热丝CVD设备，装饰镀膜机，硬质涂层设备等。
磁控溅射机
一：靶面金属化合物的形成。
由金属靶面通过反应溅射工艺形成化合物的过程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反应气体粒子与靶面原子相碰撞产生化学反应生成化合物原子，通常是放热反应，反应生成热必须有传导出去的途径，否则，该化学反应无法继续进行。在真空条件下气体之间不可能进行热传导，所以，化学反应必须在一个固体表面进行。反应溅射生成物在靶表面、基片表面、和其他结构表面进行。在基片表面生成化合物是我们的目的，在其他结构表面生成化合物是资源的浪费，在靶表面生成化合物一开始是提供化合物原子的源泉，到后来成为不断提供更多化合物原子的障碍。
二：靶中毒的影响因素
影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶中毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度，化合物覆盖面积增加，如果不能及时调整反应气体流量，化合物覆盖面积增加的速率得不到抑制，溅射沟道将进一步被化合物覆盖，当溅射靶被化合物全部覆盖的时候，靶完全中毒。
三：靶中毒现象
(1)正离子堆积：靶中毒时，靶面形成一层绝缘膜，正离子到达阴极靶面时由于绝缘层的阻挡，不能直接进入阴极靶面，而是堆积在靶面上，容易产生冷场致弧光放电---打弧，使阴极溅射无法进行下去。（2）阳极消失：靶中毒时，接地的真空室壁上也沉积了绝缘膜，到达阳极的电子无法进入阳极，形成阳极消失现象。
四：靶中毒的物理解释
（1）一般情况下，金属化合物的二次电子发射系数比金属的高，靶中毒后，靶材表面都是金属化合物，在受到离子轰击之后，释放的二次电子数量增加，提高了空间的导通能力，降低了等离子体阻抗，导致溅射电压降低。从而降低了溅射速率。一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间，当发生靶中毒时，溅射电压会显著降低。（2）金属靶材与化合物靶材本来溅射速率就不一样，一般情况下金属的溅射系数要比化合物的溅射系数高，所以靶中毒后溅射速率低。（3）反应溅射气体的溅射效率本来就比惰性气体的溅射效率低，所以反应气体比例增加后，综合溅射速率降低。
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北京泰科诺科技15年真空行业经验，蒸发类产品市场占有率达80%；985，211高校实验室全覆盖，专为各大高校，科研院所和生产企业服务；拥有独立研发实验室和完善售后服务系统，支持售前试样服务；产品通过ISO9000、CE等多项认证，获得10多项国家专利。
公司成立于2003年，目前有逾1000台设备运转，产品遍布全国各地（含港澳台），远销至美国、澳大利亚、土耳其、马来西亚等国，深受用户好评。主要包含热蒸发镀膜机、磁控溅射镀膜设备、电子束蒸发镀膜机、多弧离子溅射镀膜机、热丝CVD设备、装饰镀膜机、DLC硬质涂层设备等等。
磁控溅射镀膜机 Magnetron Sputtering Equipment
1.型号Model: JCP200/JCP350/JCP500/JCPS400/JCPY500
2.腔室结构 Chamber Structure: 立式上开盖/立式前开门
3.腔室尺寸Chamber Size: Φ210×H310mm/Φ350×H350mm/Φ500×H420mm
4.加热温度 Baking Temp: 室温～500℃
5.旋转基片台 Rotating Substrate Holder: Φ100mm/120mm/150mm
6.溅射方式 Sputtering Path: 向上溅射/上下溅射可选
7.膜厚不均匀性 Film Thickness Nonuniformity: Φ50/75/100mm范围内≤±5.0%
8.溅射靶/蒸发电极Sputtering Gun/Evaporation Electrode: Φ2英寸磁控靶1支，预留1组蒸发电极接口/
9.Φ2英寸磁控靶2支，预留1个靶位/Φ2、Φ3、Φ4英寸磁控靶2-4支(可选)
10.工艺气体 Process Gas： 1-2/2~3路气体流量控制
11.控制方式Operation Method: PLC控制/工控机全自动控制(可选)
12.功率 Power: ≥7kW/≥10kW/≥15kW
13.其他选配 Other Options: 溅射电源/膜厚仪/冷水机/等
产品特点Product Features：
1. 工艺成熟，性能稳定，使用维护成本低；
2. 功能强大，可实现单靶溅射、多靶依次溅射、共同溅射等；
3. 选择多样化，可单独、与手套箱集成、带进样室使用；
4. 适用范围：制备单层及多层金属膜、介质膜、半导体膜、磁性膜、传感器膜及耐热合金膜、硬质膜、耐腐蚀膜等；镀膜示例：银、铝、铜、镍、铬、镍铬合金、氧化钛、ITO、二氧化硅等。
适用：大专院校、科研院所及企业进行薄膜新材料的科研与小批量制备。
知识分享：
磁控溅射镀膜设备技术的特点
(1)工件变形小 由于工件表面均匀覆盖辉光，温度一致性好，可以通过控制功率输出来实现均匀升温。另外阴极溅射抵消了渗人元素引起的尺寸扩一大
(2) 渗层的组织和结构易于控制 通过调整工艺参数，可得到单相或多相的渗层组织
(3)工件无须附加清理 阴极溅射可以有效去除氧化膜，净化工件表面，同时真空处理无新生氧化膜，这些都减少了附加设备和工时，降低了成本。
(4) 防渗方便 不需渗的地方可简单地遮蔽起来，磁控溅射机出售，对环境无公害，无污染，劳动条件好。
(5) 经济效益高，磁控溅射机哪里有，能耗小 虽然初始设备投资较大，但工艺成本极低，是一种廉价的工程技术方法。此外，离子轰击渗扩技术易实现工艺过程或渗层质量的计算机控制，质量重复性好，可操作性强。
磁控溅射机
磁控溅射机- 泰科诺-磁控溅射机批发由北京泰科诺科技有限公司提供。磁控溅射机- 泰科诺-磁控溅射机批发是北京泰科诺科技有限公司（www.technol.cn）今年全新升级推出的，以上图片仅供参考，请您拨打本页面或图片上的联系电话，索取联系人：朱经理。
