肖特基 二极管厂家

肖特基二极管

电路防回流设计就是在传统电源高频电路后端加一颗MBR30100PT肖特基二极管，防止大容量滤波电容负周期时放电，叠加后过大的反向电流冲击对电路造成损坏。因MBR30100PT具有单向导通的特性，固起到保证电源正向常规工作而反向不被冲击电流所损坏的作用。随着对MBR30100PT应用场景愈发普及，更多用途的用法被开发利用，使得MRB30100PT更能发挥其最da的价值。

肖特基二极管特点

肖特基二极管是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件，其反向恢复时间可小到几个纳秒，正向导通压降仅0.4v左右，而整流电流却可以达到几千安。

 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，太阳能肖特基二极管，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，常用肖特基二极管，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。

肖特基二极管

长期以来，在输出12V~24V的SMPS中，次级边的高频整流器只有选用100V肖特基二极管的SBD或200V的FRED。在输出24V~48V的SMPS中，只有选用200V~400V的FRED。设计者迫切需要介于100V~200V之间的150VSBD和用于48V输出SMPS用的200VSBD。近两年来，美国IR公司和APT公司以及ST公司瞄准高压SBD的巨大商机，广东肖特基二极管，先后开发出150V和200V的SBD。这种高压SBD比原低压SBD在结构上增加了PN结工艺，形成肖特基势垒与PN结相结合的混合结构，如图2所示。采用这种结构的SBD，击穿电压由PN结承受。通过调控N-区电阻率、外延层厚度和P+区的扩散深度，使反偏时的击穿电压突破了100V这个长期不可逾越的障碍，达到150V和200V。在正向偏置时，高压SBD的PN结的导通门限电压为0.6V，而肖特基势垒的结电压仅约0.3V，故正向电流几乎全部由肖特基势垒供给。

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