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TVS管与ESD保护二极管的区别 TVS瞬态电压抑制
这里不论TV是如何产生的,比如直接或者间接的雷击,静电放电,大容量的负载投切等因素导致的浪涌.电压从几伏到几十千伏甚至更高. ESD静电放电保护
这里的ES主要是三种模型所表述.
其中主要应用是HBM 和 MM,简单说,就是人或者设备对器件放电(静电),但是器件不能损坏. 典型的HBM CLASS 1C模型规定 一个充电1000V-2000V的100pF的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电.
MM模型要比人体模型能量大一些.电容是200pF,电压大概在200-400之间,不过没有串联电阻了.
典型的人体模型放电,峰值电流小于0.75A,时间150ns 典型的机器模型放电,tvs二极管,峰值电流小于8A,时间5ns
TVS二极管应用于集成电路保护
集成电路的保护
由于现代IC的集成度越来越高,而其耐压则越来越低,因而很容易受到瞬变电压的冲击而损坏,故须采取保护措施。通常在CMOS电路的输入端及输出端都有保护网络,tvs二极管生产商,为了可靠起见,在各整机对外接口处也增加了各种保护网络。图5中给出了用TVS二极管对CMOS器件进行保护的有关电路措施。
TVS二极管在电路设计应用TOP7 ——电路图天天读(133)图5 TVS二极管集成电路保护实例 TVS二极管应用于集成电路运放保护
集成运放对外界电应力非常敏感,图6所示是用TVS在运放差模输入端防止过压损伤的保护电路。
TVS二极管在电路设计应用TOP7 ——电路图天天读(133)
大反向脉冲峰值电流IPP
TVS 反向工作时,在规定的脉冲条件下,TVS 允许通过的大峰值脉冲电流称为大反向脉冲峰值电流,峰值脉冲电流IPP应大于电路瞬态浪涌电流。
2.4 大钳位电压VC
当脉冲峰值电流IPP流过TVS时,tvs二极管供应商,其两极的大峰值电压为大钳位电压。VC为TVS的电压保护水平,是选用TVS 十分关键的参数,应小于被保护电路耐压水平UW,否则TVS 将失去保护作用。TVS 钳位系数等于VC VBR ,钳位系数取值一般在1.2~1.4范围内。
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