整流桥MB10S

整流桥壳体

正面表面的温度分布。从上图可以看出，整流桥壳体正面的温度分布是极不均匀的，在热源（二极管）的正上方其表面温度达到109 ℃，然而在整流桥的中间位置，整流桥2W10，远离热源处却只有75 ℃，其表面的温差可达到34℃左右。这主要是由于覆盖在二极管表面的是导热性能较差的FR4（其导热系数小于3.0W/m.℃），整流桥，因此它对整流桥壳体正表面上的温度均匀化效果很差。同时，这也验证了为什么我们在采用整流桥壳体正表面温度作为计算的壳温时，对测温热电偶位置的放置不同，整流桥MB10S，得到的结果其离散性很差这一原因。图8是整流桥内部热源中间截面的温度分布。由该图也可以进一步说明，整流桥MB110S，在整流桥内部由于器封装材料是导热性能较差的FR4，所以其内部的温度分布极不均匀。我们以后在测量或分析整流桥或相关的其它功率元器件温度分布时，应着重注意该现象，力图避免该影响对测量或测试结果产生的影响。

整流桥电路的设计

一、 输入整流桥的选择

   1、整流桥的导通时间与选通特性

   50Hz交流电压经过全波整流后变成脉动直流电压u1，再通过输入滤波电容得到直流高压U1。在理想情况下，整流桥的导通角本应为180°(导通范围是从0°～180°)，但由于滤波电容器C的作用，仅在接近交流峰值电压处的很短时间内，才有输入电流流经过整流桥对C充电。50Hz交流电的半周期为10ms，整流桥的导通时间tC≈3ms，其导通角仅为54°(导通范围是36°～90°)。因此，整流桥实际通过的是窄脉冲电流。

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