MCC

肖特基二极管

SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管(FRED)和超快速恢复二极管(UFRD)。

肖特基二极管

SiC高压SBD由于Si和GaAs的势垒高度和临界电场比宽带半导体材料低，用其制作的SBD击穿电压较低，MCC MBR10200CT，反向漏电流较大。碳化硅(SiC)材料的禁带宽度大(2.2eV~3.2eV)，临界击穿电场高(2V/cm~4×106V/cm)，饱合速度快(2×107cm/s)，热导率高为4.9W/(cm·K)，MCC SK24，抗化学腐蚀性强，MCC，硬度大，材料制备和制作工艺也比较成熟，是制作高耐压、低正向压降和高开关速度SBD的比较理想的新型材料。

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