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- 平面自动抛光机
- 模具钢镜面抛光机
- 数控自动抛光机

抛光液是
CMP






的关键要素之一
,
抛光液的性能直接影响抛光后表面的质量。抛光液一般
由超细固体粒子研磨剂
(
如纳米
SiO2
、
A12O3
粒子等
)
、表面活性剂、稳定剂、氧化剂
等组成
,
固体粒子提供研磨作用
,
化学氧化剂提供腐蚀溶解作用。抛光液的化学成分及浓
度、磨粒的种类、大小、形状及浓度、抛光液的粘度、
pH
值、流速、流动途径对
CM
过程中的材料去除速度都有影响。目前
CMP
的抛光液通常使用球形纳米级颗粒来加速
切除和优化抛光质量
,
如胶体
SiO2
粒子
,
改变了抛光液的流变性能
,
可以用微极性来表征
这类流体的流变性能。张朝辉等
[2]
给出了考虑微极性效应的
CMP
运动方程
,
并进行了
数值求解
,
数值模拟结果表明
,
微极性将提高抛光液的等效粘度从而在一定程度上提高其
承载能力
,全自动圆盘抛光机,
加速材料去除
,圆盘抛光机,
这在低节距或低转速下尤为明显
,昆山圆盘抛光机,
体现出尺寸依赖性。
Lei[3, 4]
等系统研究了纳米
SiO2
抛光液对镍磷敷镀的硬盘基片的化学机械抛光性能
,
发现抛光
液的抛光性能与抛光液中纳米
SiO2
粒子的粒径及浓度、氧化剂的用量、抛光液的
pH
值、抛光液的流量等均有关
,
适宜的抛光液组成为
:
粒径
30nm
和浓度
5% ~6%
、氧化
剂的用量
1% ~2%
、抛光液的
pH
值
1. 8
、流量不小于
300mL/min,
但是过大的流量对
抛光性能没有进一步提高
,
只会增加成本。朱永华
[5]
等采用纳米
SiO2
作为抛光磨料在
不同抛光液条件下
(pH
值、表面活性剂、润滑剂等
)
对玻璃基片
CMP
去除速率和表面质
量的变化规律进行了研究
,
并利用原子力显微镜和光学显微镜观察了抛光表面的微观形
貌。张建新等
[6]
以
LB2Mer
模型为理论指导对恒液面聚合生长法制备大粒径、低分散
度硅溶胶研磨料的粒径增长阶段进行了机理分析
,
制得了符合高质量、率
CMP
专用
的大粒径
(
平均粒径为
112nm)
、低分散度
(
接近于
1. 00)
硅溶胶研磨料
抛光机是
CMP
的基础
,
大多数由抛光底盘、抛光头、在线检测装置及其它部件组成
,
大
多数的生产型抛光机都有多个抛光头
,间歇式圆盘抛光机,
以适应不同材料的需要。
CMP
设备目前正在由单
头、双头抛光机向多头抛光机发展
,
结构逐步由旋转抛光结构向轨道抛光结构和线性抛
光结构方面发展。芯片特征线宽的不断减小对
CMP
设备提出了更高的要求
,
如设备集
成、干进干出、抛光头改进、多工序加工、无研磨膏
CMP
、终点检测、自动输送接
口、干法清洗圆片等
,
同时
,
对于
0. 18
μ
m
或更小图形尺寸的新材料
(
低、高介电常数绝
缘材料和铜
)
的
CMP
设备还有待开发。
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