单晶硅靶材

靶材的制备工艺

       目前制备靶材的方法主要有铸造法和粉末冶金法。

       铸造法；将一定成分配比的合金原料熔炼，再将合金熔液浇注于模具中，硅靶材，形成铸锭，最后经机械加工制成靶材。铸造法在真空中熔炼、铸造。常用的熔炼方法有真空感应熔炼、真空电弧熔炼和真空电子轰击熔炼等。其优点是靶材杂质含量(特别是气体杂质含量)低，密度高，单晶硅靶材，可大型化；缺点是对熔点和密度相差较大的两种或两种以上金属，普通熔炼法难以获得成分均匀的合金靶材。

       

靶材简介简单说的话，靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料，用于高能激光武器中，晶体硅靶材绑定，不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时，钛铝硅靶材，会产生不同的杀伤破坏效应。例如：蒸发磁控溅射镀膜是加热蒸发镀膜...铝膜等。更换不同的靶材（如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。

靶材的主要性能要求

晶粒尺寸及晶粒尺寸分布

   通常靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。对于同一种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快；而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。

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