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四、前烘(Soft Bake)
完成光刻胶的涂抹之后,需要进行软烘干操作,这一步骤也被称为前烘。前烘能够蒸发光刻胶中的溶剂溶剂、能使涂覆的光刻胶更薄。
在液态的光刻胶中,溶剂成分占65%-85%。虽然在甩胶之后,液态的光刻胶已经成为固态的薄膜,但仍有10%-30%的溶剂,容易沾污灰尘。通过在较高温度下进行烘培,可以使溶剂从光刻胶中挥发出来(前烘后溶剂含量降至5%左右),从而降低了灰尘的沾污。同时,这一步骤还可以减轻因高速旋转形成的薄膜应力,从而提高光刻胶 衬底上的附着性。
在前烘过程中,由于溶剂挥发,光刻胶厚度也会减薄,RR41光刻胶报价,一般减薄的幅度为10%-20%左右。
NR77-20000PMSDS
光刻胶运输标识及注意事项
标签上标明的意思
R标识
R10 YI燃。
S标识
S16??远离火源-禁止吸烟。
S 24?避免接触皮肤。
S 33对静电放电采取预防措施。
S 9??将容器保持在通风良好的地方。
水生毒性
通过自然环境中的化学、光化学和微生物降解来分解。一般不通过水解降解。300 ppm对水生生物是的。卤化反应可能发生在水环境中。
芯片光刻的流程详解(一)
在集成电路的制造过程中,RR41光刻胶,有一个重要的环节——光刻,RR41光刻胶厂家,正因为有了它,我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前,1822年法国人Nicephore nie在各种材料光照实验以后,开始试图复一种刻蚀在油纸上的印痕(图案),他将油纸放在一块玻璃片上,玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。经过2、3小时的日晒,透光部分的沥青明显变硬,而不透光部分沥青依然软并可被松香和植物油的混合液洗掉。通过用强酸刻蚀玻璃板,Nie在1827年制作了一个d’Amboise主教的雕板相的产品。
Nie的发明100多年后,即第二次大战期间才应用于制作印刷电路板,即在塑料板上制作铜线路。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶体管,当时分辨率5um,如今除可见光光刻之外,更出现了X-ray和荷电粒子刻划等更高分辨率方法。
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