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硅片模具加工如何选择光刻胶呢?
注意事项:
①若腐蚀液为碱性,则不宜用正性光刻胶;
②看光刻机型式,NR26 25000P光刻胶价格,若是投影方式,用常规负胶时氮气环境可能会有些问题
③负性胶价格成本低,正性胶较贵;
④工艺方面:负性胶能很好地获得单根线,而正性胶可获得孤立的洞和槽;
⑤健康方面:负性胶为有机溶液处理,不利于环境;正性胶属于水溶液,对健康、环境无害。
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微流控芯片硅片模具加工如何选择光刻胶呢?
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一般来说线宽的用正胶,NR26 25000P光刻胶,线窄的用负胶,正性光刻胶比负性的精度要高,负胶显影后图形有涨缩,负性胶限制在2~3μm.,而正性胶的分辨力优于0.5μm 导致影响精度,正性胶则无这方面的影响。虽然使用更薄的胶层厚度可以改善负性胶的分辨率,但是薄负性胶会影响。同种厚度的正负胶,在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹,正胶难以企及。汶颢科技提供AZ、SU_8、及其他系类光刻胶的供应与技术参数。
含硅光刻胶
为了避免光刻胶线条的倒塌,线宽越小的光刻工艺,就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点,光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2] 。为此,研发了含Si的光刻胶,这种含Si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料(常被称作Underlayer),其对光是不敏感的。曝光显影后,利用氧等离子体刻蚀,把光刻胶上的图形转移到Underlayer上,NR26 25000P光刻胶报价,在氧等离子体刻蚀条件下,含Si的光刻胶刻蚀速率远小于Underlayer,具有较高的刻蚀选择性 [2] 。含有Si的光刻胶是使用分子结构中有Si的有机材料合成的,NR26 25000P光刻胶哪家好,例如硅氧烷,含Si的树脂等
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