厂商 ：哈尔滨特博科技有限公司
黑龙江 哈尔滨- 主营产品：
- 纳米粉
- 硅片定做
- 石英制品
2英寸SiC晶体产品规格说明
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产品 |
4H-SiC & 6H-SiC |
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等级 (Grade) |
Grade I |
Grade II |
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直径 (Diameter) |
50.8 mm ± 0.38 mm |
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厚度 (Thickness) |
330/430 μm ± 25μm or Customer Specification |
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主定位边方向 (Primary Flat Orientation) |
Perpendicular to <11-20> ± 5.0° |
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主定位边长度 (Primary Flat Length) |
15.88 mm ± 1.65 mm |
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次定位边方向 (Secondary Flat Orientation) |
90° CW from Primary flat ± 5.0° |
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次定位边长度 (Secondary Flat Length) |
8.0 mm ± 1.65 mm |
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正角晶片方向 (On axis Wafer Orientation) |
{0001} ± 0.25° |
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偏角晶片方向 (Off axis Wafer Orientation) |
4.0° toward <11-20> ± 0.5° 8.0° toward <11-20> ± 0.5° |
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边缘 (Edge Exclusion) |
1.0 mm |
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总厚度变化/弯曲度/ (TTV/Bow) |
< 15μm / < 15μm |
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微管密度 (Micropipe Density) |
< 10个/cm-2 |
< 30个/cm-2 |
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电阻率 (Resistivity) |
导电 (Conductive) |
0.01~0.03 Ω×cm |
0.01~0.1Ω×cm |
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半绝缘 (Semi-insulating) |
> 105 Ω×cm |
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表面加工 (Surface Finish) |
Both Polished (Si face: Ra < 0.2 nm) or Customer Specification |
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光电子领域
发光二极管（LED）是利用半导体中电子与空穴复合发光的一种电子元器件，是一种节能环保的冷光源。SiC材料具有与GaN晶格失配小、热导率高、器件尺寸小、抗静电能力强、可靠性高等优点是GaN系外延材料的理想衬底，由于其良好的热导率，解决了功率型GaN-LED器件的散热问题，特别适合制备大功率的半导体照明用LED，这样大大提高了出光效率，又能有效的降低能耗。
