厂商 :深圳市福田区晶达电子
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- 肖特基
- 电源IC
- 场效应
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商品详细描述
向IGBT提供适当的正向栅压。并且在IGBT导通后。栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度,使IGBT的功率输出级总处于饱和状态。瞬时过载时,栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区。IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关,在漏源电流一定的情况下,VGE越高,VDS傩就越低,器件的导通损耗就越小,这有利于充分发挥管子的工作能力。但是, VGE并非越高越好,一般不允许超过20 V,原因是一旦发生过流或短路,栅压越高,则电流幅值越高,IGBT损坏的可能性就越大。通常,综合考虑取+15 V为宜。
深圳市福田区晶达电子主营富士,仙童,NXP,IR,ST等品牌二三极管,场效应管,MOSFET,电源IC,IGBT,电源模块等元件.欢迎来电查询:0755-25323474 夏小姐
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