高纯坩埚

本产品采用国际上最先进的四部清洗法，在万级洁净室烘干并采用真空包装方法保证产品的洁净度。

    本公司的电弧石英坩埚采用特的真空熔制方法制造而成，在坩埚的内表层形成厚度约2-3mm的透明石英玻璃层，因此在进行单晶硅的拉制过程中可有效抑制坩埚体内气泡的逸出，阻止单晶硅微缺陷的产生。

高纯石英坩埚技术指标

 1.温度范围：1450度维持使用

 2.尺寸范围：直径10英寸-24英寸

 3.杂质含量

 AI:15 CA0.6 Cr<0.08 Cu<0.03 Fc:0.5 K:0.6 Li;0.7 Mg:0.06 Na:0.9 Ni<0.03 Ti:13 OH:30

陶瓷坩埚技术指标

 1.性能 可靠性高，优良的电绝缘性，极好的抗震性，优良耐磨腐蚀性， 很低的热传导性，可生产实验电器

 2.技术参数 金属杂质（Fe Cu Ti Cr Ni）<45PPM

                      体积浓度：1.88-1.97g/cm3

                      导热系数：500度 0.8，,1200度 1.7

                     弯曲强度：>10

  3.尺寸规格：880*880 720*720 560*560