Fram选型铁电存储器选型

厂商 :深圳市奥腾立电子科技有限公司

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商品详细描述


FRAM(铁电存储器)是被称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM(只读存储器)和RAM(随机存取器),在高速写入、高耐受力、低功耗和防窜改方面具有优势。

产品列表

串行闪存

I2C接口

与世界标准,I2C BUS完全兼容。利用两个端口,几个时钟(SCL)和串行数据(SDA)控制每个函数。

FRAM铁电存储器选型

Fujitsu FRAM可以直接替换Ramtron的相关型号!常用型号如下:

FRAM铁电存储器I2C接口:

型号

容量

存储格式

电压

最大工作电流

最大读写频率

封装

备注

MB85RC16

16K bits

2Kx 8

2.7V - 3.6V

400mA

400kHz

SOP8

FM24CL16FM24CL16B完全兼容

FM24C04可以参考

MB85RC64

64k bits

8k x 8

2.7 V - 3.6 V

400uA

400kHz

SOP8

FM24CL64FM24CL64B

FM24CL64B-GA完全兼容

MB85RC128

64k bits

8k x 8

2.7 V - 3.6 V

400uA

400kHz

SOP8                        

FM24V01完全兼容

 

FRAM铁电存储器串行SPI接口:

 

MB85RS64

64k bits

8k x 8

3.0 V - 3.6 V

10mA

15Mhz

SOP8

FM25CL64FM25CL64-GA

FM25CL64BFM25CL64B-GA完全兼容

MB85RS128

64k bits

8k x 8

3.0 V - 3.6 V

10mA

15Mhz

SOP8

FM25V01完全兼容

MB85RS256

256k bits

32k x 8

3.0 V - 3.6 V

10mA

15Mhz

SOP8

FM25L256FM25L256B

FM25V02完全兼容

 

FRAM铁电存储器并行接口:

 

型号

容量

存储格式

电压

最大工作电流

访问时间

封装

备注

MB85R256H

256k bits

32k x 8

2.7 V - 3.6 V

10mA

70ns

SOP/TSOP28

可直接替换FM18L08FM28V020

MB85R1001

1M bits

128k x 8

3.0 V - 3.6 V

15mA

120ns

TSOP48 / FBGA48

可替换FM20L08FM28V100

MB85R1002

1M bits

64k x 16

3.0 V - 3.6 V

15mA

120ns

TSOP48 / FBGA48

 

MB85R2001

2M bits

256k x 8

3.0 V - 3.6 V

15mA

120ns

TSOP48

 

MB85R2002

2M bits

128k x 16

3.0 V - 3.6 V

15mA

120ns

TSOP48

可替换FM21L16

 

 

FRAM内置RFID FRAM

 

型号

容量

Data Rate

RF Interface

Range

 

封装

 

MB89R119

256Bytes

26.45 kbps

ISO/IEC15693

35cm ~55cm

Wafer

 

MB89R119B

2KBytes

26.45 kbps

ISO/IEC15693

35cm ~55cm

Wafer

 

MB89R118

2KBytes

26.45 kbps

ISO/IEC15693

35cm ~55cm

Wafer

 

 


 

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