厂商 :广东华裕电子有限公司
广东 广州市- 主营产品:
- 金属化薄膜电容器
- 谐振电容
- 薄膜电容
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商品详细描述
C35 GTO缓冲吸收电容器
价格仅供参考,以报价单为准。
主要应用/Application
广泛应用于GTO缓冲吸收以及大电流,高压场合。
Widely used in GTO snubber,high current and high voltage application.
产品特点/Characteristics
电介质:聚丙烯薄膜
结构:金属化膜内串结构
封装:外包阻燃迈拉胶带,阻燃(94V-0级)环氧封装
引出: M6或M8铜螺母引出
能承受大电流,高电压
低损耗、高稳定
具有自愈性
Dielectric:Polypropylene film
Construction:Metalized film internal series connection
Coating:Polyester tape wrapping with resin sealing.
Flame retardant execution(UL94V-0)
Terminals:Copper nut leads,threaded insert M5,M6 or M8
High current,high voltage
Low losses,high stability
Self healing
技术性能/Specifications
型号 |
规格 |
价格(元) |
尺寸(mm) |
引出 |
C35 |
0.47vF/5000V |
50 |
Φ53*L50 |
M6 |
主要应用/Application
广泛应用于GTO缓冲吸收以及大电流,高压场合。
Widely used in GTO snubber,high current and high voltage application.
产品特点/Characteristics
电介质:聚丙烯薄膜
结构:金属化膜内串结构
封装:外包阻燃迈拉胶带,阻燃(94V-0级)环氧封装
引出: M6或M8铜螺母引出
能承受大电流,高电压
低损耗、高稳定
具有自愈性
Dielectric:Polypropylene film
Construction:Metalized film internal series connection
Coating:Polyester tape wrapping with resin sealing.
Flame retardant execution(UL94V-0)
Terminals:Copper nut leads,threaded insert M5,M6 or M8
High current,high voltage
Low losses,high stability
Self healing
技术性能/Specifications
引用标准/Reference standards |
GB/T 17702 IEC 61071 |
工作温度范围/Operating temperature range |
-40℃~85℃ |
容量范围/Capacitance |
0.33μF~3.0μF |
额定电压/Rated Voltage |
4000Vdc~10 000Vdc |
容量偏差/Tolerance |
±5% ±10% |
极间耐电压/Test voltage between terminals |
1.5Ur(Vdc)10s 25℃±5℃ |
极壳耐电压/Test voltage between terminals and case |
3000V 50Hz 60s,25℃±5℃ |
损耗角正切/Dissipation factor |
tgδ≤8×10-4 at 25℃±5℃,1kHz |
绝缘电阻/Insulation resistance |
C×R≥30000s,at 100Vdc,25℃±5℃,60s |
预期寿命/Life expectancy |
200000h at Ur and 70℃ |
此产品关键字:
IGBT吸收电容、IGBTSNUBBER、IGBT吸收电容厂家、IGBT吸收电容价格
华裕电容-高品质金属化薄膜电容专业制造商
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传真:020-87023473
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