富士通铁电FRAM存储IC

FM25V10-GTR 1Mbit位非易失性铁电存储器 铁电存储IC RAMTRON存储IC
完整型号:
FM25V10
FM25V10-G
FM25V10-GTR
厂家: RAMTRON
批号: 12+
封装形式: SOP-8
包装形式: 编带盘装
供应数量: 50000pcs
产品特点:
容量: 1Mb
最大工作电流: 3.0mA
最大读写频率: 40MHz
封装: SOIC8
电压: 2.0-3.6V
唯一S/N: 64-bit
1Mbit位非易失性铁电存储器
? 结构容量为128K x 8位
? 读/写次数达到100万亿（1014）次
? 掉电数据保存10年
? 写数据无延迟
? 采用先进的高可靠性铁电制造工艺
高速串行外设接口- SPI
? 总线频率可达40MHz
? 硬件上可直接替换串行Flash
? SPI模式0&3（CPOL,CPHA=0,0&1,1）
写保护机制
? 硬件保护
? 软件保护
器件ID和序列号
? 器件ID能读出制造商、产品密度和版本信息
? 唯一的序列号（FM25VN10）
低电压，低功率
? 工作电压：2.0V~3.6V
? 待机电流（典型值）：90μA
? 睡眠模式电流（典型值）：5 μA
工业标准
? 工业级温度：-40℃~+85℃
? 8脚环保/RoHS SOIC封装
订购信息
FM25V10-G - Device ID (8-pin “Green”/RoHS SOIC)
FM25VN10-G - Device ID, S/N (8-pin “Green”/RoHS SOIC)
 
 
 
 
 
FM28V100-TG 1Mbit位非易失性铁电存储器 铁电存储IC RAMTRON存储IC
FM28V100-TGTR 1Mbit位非易失性铁电存储器 铁电存储IC RAMTRON存储IC
完整型号:
FM28V100
FM28V100-TG
FM28V100-TGTR
厂家: RAMTRON
批号: 12+
封装形式: TSOP-I-32
包装形式: 编带盘装
供应数量: 50000pcs
产品特点:
访问时间: 60ns
最大工作电流: 12mA
容量: 128K x 8
封装: TSOP-I-32
电压: 2.0-3.6V
1Mbit位非易失性铁电存储器
? 结构容量为128Kx8
? 读/写次数达到100万亿次（1014） 次
? 写数据无延迟
? 页面模式运行可达到33MHz
? 采用先进的高可靠性铁电制造工艺
可替代SRAM
? 符合JEDEC 128K x 8 SRAM 引脚标准
? 访问时间：60 ns，周期：90 ns
块写入保护
? 软件可编程块写保护
? 8个扇区，每个扇区16KB
优于带附加电池SRAM模块
? 没有电池忧虑
? 整体可靠性
? 真正的表面贴片安装解决方案，没有返工步骤
? 防止潮湿，冲击和震动的危害
低功耗操作
? 工作电压：2.0V - 3.6V
? 待机电流（典型值）：90μA
? 工作电流（典型值）：7mA
工业标准
? 工业级温度：-40℃至+85℃
? 32脚环保/RoHS封装
订购信息
? FM28V100 -TG，环保/RoHS TSOP-Ⅰ封装
 
 
 
 
FM25V05-G 512Kbit位非易失性铁电存储器 铁电存储IC RAMTRON存储IC
FM25V05-GTR 512Kbit位非易失性铁电存储器 铁电存储IC RAMTRON存储IC
完整型号:
FM25V05
FM25V05-G
FM25V05-GTR
厂家: RAMTRON
批号: 12+
封装形式: SOP-8
包装形式: 编带盘装
供应数量: 50000pcs
产品特点:
容量: 512Kb
最大工作电流: 3.0mA
最大读写频率: 40MHz
封装: SOIC8
电压: 2.0-3.6V
唯一S/N: 64-bit
 结构容量为64K x 8位
? 读/写次数达到100万亿（1014）次
? 掉电数据保存10年
? 写数据无延迟
? 采用先进的高可靠性铁电制造工艺
高速串行外设接口- SPI
? 总线频率可达40MHz
? 硬件上可直接替换串行Flash
? SPI模式0&3（CPOL,CPHA=0,0&1,1）
写保护方案
? 硬件保护
? 软件保护
器件ID和序列号
? 器件ID能读出制造商、产品密度和版本信息
? 唯一的序列号（FM25VN10）
低电压，低功率
? 工作电压：2.0V~3.6V
? 待机电流（典型值）：90μA
? 睡眠模式电流（典型值）：5 μA
工业标准
? 工业级温度：-40℃~+85℃
? 8脚环保/RoHS SOIC封装
订购信息
FM25V05-G - Device ID，2.0~3.6V - 8脚 环保/RoHS SOIC封装
FM25VN05-G - Device ID，S/N，2.0~3.6V - 8脚 环保/RoHS SOIC封装
FM25V05-GTR -  Device ID (8脚 环保/RoHS SOIC, 卷带包装)
FM25VN05-GTR - Device ID, S/N (8脚 环保/RoHS SOIC, 卷带包装)
 
 
 

FM21L16-60-TG 2Mbit位非易失性铁电存储器 铁电存储IC RAMTRON存储IC
完整型号:FM21L16-60-TG
厂家: RAMTRON
批号: 12+
封装形式: TSSOP-44
包装形式: 编带盘装
供应数量: 50000pcs
产品特点:
访问时间: 60ns
最大工作电流: 18mA
容量: 128K x 16
封装: TSOP-II-44
电压: 2.7-1.6V
2Mbit位非易失性铁电存储器
? 结构容量为128K×16位
? 可用/UB，/LB设置成256K× 8位
? 读/写次数达到100万亿次（1014） 次
? 写数据无延迟
? 页面模式运行可达到40MHz
? 采用先进的高可靠性铁电制造工艺 可兼容SRAM
? 符合JEDEC 128K×16 SRAM引脚标准
? 访问时间：60ns， 周期：110ns
高级功能
? 低电压监控保护内存防止意外写入
? 软件可编程块写保护
优于带后备电池SRAM模块
? 没有电池忧虑
? 整体可靠性
? 真正的表面贴片安装解决方案，没有返工步骤
? 防止潮湿，冲击和震动的危害
低功耗操作
? 工作电压：2.7V~3.6V
? 超低待机电流：使用ZZ引脚
? 工作电流：18 mA
工业标准
? 工业级温度：-40℃~+85℃
? 44脚环保/RoHS TSOP-Ⅱ封装
订购信息
? FM21L16-60-TG，60ns访问时间，44脚环保/RoHS TSOP-Ⅱ封装


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JM Electronic Components Co., LIMITED.
捷明电子（香港）有限公司
Shenzhen JieMing Electronics Co., Ltd.
深圳市捷明电子有限公司
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