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商品详细描述
BP2822 是一款高精度的 LED 恒流控制芯片BP2822 非隔离降压型 LED 恒流控制器
晶丰明源半导体
概述
BP2822 是一款高精度的 LED 恒流控制芯片,应用
于非隔离的降压型 LED 电源系统,适合全范围的
交流电压输入或者12V~600V的直流电压输入。
BP2822 内部集成 600V 功率 MOSFET,只需要很少
的外围元件,即可实现优异的恒流特性。
BP2822 芯片内带有高精度的电流取样电路,同时
采用了专利的恒流控制技术,实现高精度的 LED
恒流输出和优异的线性调整率。芯片工作在电感
电流临界模式,系统输出电流不随电感量和 LED
工作电压的变化而变化,实现优异的负载调整率。
BP2822 采用专利的源极驱动技术,芯片工作电流
只有200uA,无需辅助绕组供电,简化设计,降低
系统成本。
BP2822 具有多重保护功能,包括 LED 短路保护、
电流采样电阻短路保护和芯片过温保护。
BP2822采用DIP-8封装。
典型应用
特点
? 临界模式工作,无需电感补偿
? 内置 600V功率MOSFET
? 源极驱动,无需辅助绕组供电
? 高达±3%的LED电流精度
? 高达 93%以上的系统效率
? LED 短路保护
? CS 采样电阻短路保护
? 芯片过温保护
应用
? 球泡灯
? 蜡烛灯
? 玉米灯
? 景观灯
晶丰明源半导体
定购信息
定购型号 封装 温度范围 包装形式 打印
BP2822 DIP8 -40℃ 到 105℃
管装
50 颗/管
BP2822
XXXXXY
XYY
管脚封装
管脚描述
管脚号 管脚名称 描述
1 GND 芯片地
2 LN 线电压补偿输入端
3 VCC 芯片电源端,内置12.5V稳压管
4 SOURCE 内部高压MOSFET的源极
5,6 DRAIN 内部高压MOSFET的漏极
7,8 CS 电流采样端,接电流检测电阻到地
XXXXXY: lot code
X: 年号
YY:周号
晶丰明源半导体
极限参数(注1)
符号 参数 参数范围 单位
VDS 内部高压 MOSFET漏极到源极峰值电压 -0.3~600V V
ICC_MAX 最大电源电流 5 mA
VLN 线补偿电压 -0.3~18 V
VSOURCE 内部高压 MOSFET的源极电压 -0.3~18 V
VCS 电流采样端电压 -0.3~6 V
PDMAX 功耗(注 2) 0.9 W
θJA PN结到环境的热阻 80 ℃/W
TJ 工作结温范围 -40 to 150 ℃
TSTG 储存温度范围 -55 to 150 ℃
ESD (注 3) 2 KV
注 1:最大极限值是指超出该工作范围,芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内,器件功能正常,但并不完全保
证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规
范。对于未给定上下限值的参数,该规范不予保证其精度,但其典型值合理反映了器件性能。
注 2:温度升高最大功耗一定会减小,这也是由 TJMAX, θ JA,和环境温度 TA所决定的。最大允许功耗为 PDMAX = (TJMAX - TA)/ θ JA
或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。
注 3:人体模型,100pF 电容通过 1.5KΩ 电阻放电。
推荐工作范围
符号 参数 参考范围 单位
ILED 输出 LED电流 < 250 mA
晶丰明源半导体
概述
BP2822 是一款高精度的 LED 恒流控制芯片,应用
于非隔离的降压型 LED 电源系统,适合全范围的
交流电压输入或者12V~600V的直流电压输入。
BP2822 内部集成 600V 功率 MOSFET,只需要很少
的外围元件,即可实现优异的恒流特性。
BP2822 芯片内带有高精度的电流取样电路,同时
采用了专利的恒流控制技术,实现高精度的 LED
恒流输出和优异的线性调整率。芯片工作在电感
电流临界模式,系统输出电流不随电感量和 LED
工作电压的变化而变化,实现优异的负载调整率。
BP2822 采用专利的源极驱动技术,芯片工作电流
只有200uA,无需辅助绕组供电,简化设计,降低
系统成本。
BP2822 具有多重保护功能,包括 LED 短路保护、
电流采样电阻短路保护和芯片过温保护。
BP2822采用DIP-8封装。
典型应用
特点
? 临界模式工作,无需电感补偿
? 内置 600V功率MOSFET
? 源极驱动,无需辅助绕组供电
? 高达±3%的LED电流精度
? 高达 93%以上的系统效率
? LED 短路保护
? CS 采样电阻短路保护
? 芯片过温保护
应用
? 球泡灯
? 蜡烛灯
? 玉米灯
? 景观灯
晶丰明源半导体
定购信息
定购型号 封装 温度范围 包装形式 打印
BP2822 DIP8 -40℃ 到 105℃
管装
50 颗/管
BP2822
XXXXXY
XYY
管脚封装
管脚描述
管脚号 管脚名称 描述
1 GND 芯片地
2 LN 线电压补偿输入端
3 VCC 芯片电源端,内置12.5V稳压管
4 SOURCE 内部高压MOSFET的源极
5,6 DRAIN 内部高压MOSFET的漏极
7,8 CS 电流采样端,接电流检测电阻到地
XXXXXY: lot code
X: 年号
YY:周号
晶丰明源半导体
极限参数(注1)
符号 参数 参数范围 单位
VDS 内部高压 MOSFET漏极到源极峰值电压 -0.3~600V V
ICC_MAX 最大电源电流 5 mA
VLN 线补偿电压 -0.3~18 V
VSOURCE 内部高压 MOSFET的源极电压 -0.3~18 V
VCS 电流采样端电压 -0.3~6 V
PDMAX 功耗(注 2) 0.9 W
θJA PN结到环境的热阻 80 ℃/W
TJ 工作结温范围 -40 to 150 ℃
TSTG 储存温度范围 -55 to 150 ℃
ESD (注 3) 2 KV
注 1:最大极限值是指超出该工作范围,芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内,器件功能正常,但并不完全保
证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规
范。对于未给定上下限值的参数,该规范不予保证其精度,但其典型值合理反映了器件性能。
注 2:温度升高最大功耗一定会减小,这也是由 TJMAX, θ JA,和环境温度 TA所决定的。最大允许功耗为 PDMAX = (TJMAX - TA)/ θ JA
或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。
注 3:人体模型,100pF 电容通过 1.5KΩ 电阻放电。
推荐工作范围
符号 参数 参考范围 单位
ILED 输出 LED电流 < 250 mA
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