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- 齿轮传感器
- 霍尔传感器
- 磁电式转速传感器
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商品详细描述
概述
QHS103 是一款为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存磁传感器,集成了TMR 和CMOS 技术。QHS103 采用高精度推挽半桥TMR 磁传感器和CMOS 集成电路,包括TMR 电压发生器,比较器,施密特触发器和CMOS 输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压x 信号输出。通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源,并允许宽的工作电压范围。QHS103 低电压工作、消耗电流低、响应频率高,微安级的电流消耗成为众多低功耗应用的理想选择。(可完全替代韦根及微功耗霍尔)
产品特性 典型应用
磁隧道结 (TMR) 技术 三表(水表,气表,热量表)
双极锁存传感器 流 量 计
磁场灵敏度:Bop=3.0mT 速度测量
工作电流:6uA@3V 电机旋转位置
工作电压:1.8V~5.5V 线性位移测量
响应频率:10 kHz
ESD 性能:>4kV
管脚定义
TO-92 SOT23-3
功能方框图
绝对最大额定值
性能参数(TA= +25℃)
磁特性(VDD=3.0 V)
输出和磁场关系
磁场感应反向 磁场强度
应用信息
平行于TMR 传感器的磁场超过工作点门限
Bop,QHS103 输出低电平。当TMR 传感
器的磁场低于释放点时,QHS103 输出高
电平。磁场工作点和释放点的差值就是传
感器的回差Bh。
为了降低外部噪音,推荐在传感器电源和
地之间增加一个滤波电容(靠近传感器)。
如应用电路图所示,典型值为0.1uF。
QHS103 是一款为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存磁传感器,集成了TMR 和CMOS 技术。QHS103 采用高精度推挽半桥TMR 磁传感器和CMOS 集成电路,包括TMR 电压发生器,比较器,施密特触发器和CMOS 输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压x 信号输出。通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源,并允许宽的工作电压范围。QHS103 低电压工作、消耗电流低、响应频率高,微安级的电流消耗成为众多低功耗应用的理想选择。(可完全替代韦根及微功耗霍尔)
产品特性 典型应用
磁隧道结 (TMR) 技术 三表(水表,气表,热量表)
双极锁存传感器 流 量 计
磁场灵敏度:Bop=3.0mT 速度测量
工作电流:6uA@3V 电机旋转位置
工作电压:1.8V~5.5V 线性位移测量
响应频率:10 kHz
ESD 性能:>4kV
管脚定义
TO-92 SOT23-3
管脚名 | 序号 | 功能 | |
TO‐92 | SOT23‐3 | ||
OUTPUT | 1 | 2 | 输出 |
GND | 2 | 3 | 地 |
VCC | 3 | 1 | 电源 |
功能方框图
绝对最大额定值
参数 | 符号 | 最大额定值 | 单位 |
工作电压 | VDD | 6 | V |
工作电流 | IDD | 20 | uA |
输出电压 | VOUT | 6 | V |
输出电流 | IOUT | 30 | mA |
使用温度 | TA | ‐40~125 | ℃ |
储存温度 | TSTG | ‐50~+170 | ℃ |
ESD 性能(HBM) | VESD | 4 | kV |
性能参数(TA= +25℃)
参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
工作电压 | VDD | 1.8 | 3.0 | 5.5 | V | |
工作电流 | IDD | VDD=3.0V | 5 | μA | ||
输出电流 | IOUT | 10 | mA | |||
输出高电压 | VOL | VDD‐0.2 | V | |||
输出低电压 | VOH | 0.2 | V | |||
响应频率 | F | 10 | KHz | |||
使用温度 | TA | 工作 | ‐40 | 125 | °C |
磁特性(VDD=3.0 V)
参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
工作点 | BOP | TA=+25°C | 3 | mT | ||
全温度范围 | mT | |||||
释放点 | BRP | TA=+25°C | -3 | mT | ||
全温度范围 | mT | |||||
回差 | BH | TA=+25°C | 6 | mT | ||
全温度范围 |
输出和磁场关系
参数 | 测试条件 | 输出信号 |
南极磁场 | B>Bop | 低电平 |
北极磁场 | B | 高电平 |
磁场感应反向 磁场强度
应用信息
平行于TMR 传感器的磁场超过工作点门限
Bop,QHS103 输出低电平。当TMR 传感
器的磁场低于释放点时,QHS103 输出高
电平。磁场工作点和释放点的差值就是传
感器的回差Bh。
为了降低外部噪音,推荐在传感器电源和
地之间增加一个滤波电容(靠近传感器)。
如应用电路图所示,典型值为0.1uF。
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