厂商 ：深圳市三资半导体有限公司（销售部）
广东 深圳- 主营产品：
- 韩国索森美
- 美格纳/仙凯
- 场效应管
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商品详细描述
深圳市三资电子科技有限公司供应： CR（西安民展微）全系列IC，常备现货，只做原装正品
PWM控制芯片CR6224T DIP8
PWM+MOS CR6224
CR6224 SOP-8完全兼容OB2353. CR6224能做到8瓦
CR6224 DIP-8完全兼容OB2354. CR6224 能做到12W
CR622X 是用于24W以内离线式开关电源IC，该IC 含有高压功率MOSFET，具有优化的图腾驱动电路以及电流模式PWM 控制器。PWM 控制器包含50KHz 固定的频率振荡发生器以及各种保护。由振荡电路产生的频率抖动，可以改善EMI 特性。为了获得良好的效率和待机功耗，CR622X 在重载或中等负载时，工作在PWM 模式，频率为50KHz。
当负载逐渐减小时，振荡器的工作频率逐渐降低，最后稳定在22KHz 左右。在空载和轻载时，电路采用间歇模式，有效的降低了待机功耗。保护功能包括：欠压锁定、过压保护及钳位、过载保护等，各种保护解除后均可自动恢复工作。
由于CR622X 高度集成，使用外围元件较少。采用CR622X 可简化反激式隔离AC-DC 开关电源设计，
从而使设计者轻松的获得可靠的系统。
2.欠压锁定和启动电路
系统在上电时，整流后的高压通过启动电阻RIN为VDD 端的电容C1 充电，直到VDD 端电压达到芯片的启动电压VDD_ON(典型14.8V)时，芯片启动并且驱动整个电源系统工作。如果发生保护，输出关断，导致辅助绕组掉电，VDD 端电压开始下降，当VDD 端电压低于芯片的关闭电压VDD_OFF（典型9V）时，控制电路关断，芯片消耗电流变小，进入再次启动序列。
3.软启动
CR622X内部具有软启动电路，以减少电源启动期间电压应力。在VDD达到启动电压14.8V(Typ)时，芯片内置算法将会使峰值电流限制电压阈值经过4ms逐渐升高到0.90V 。无论何种保护导致的再次启动，都必将是软启动。 4.正常工作频率和频率抖动
CR622X 正常的工作频率被内部固定为50KHz，不需要外部定频元件，有效地简化了PCB 布局。为了良好的EMI 特性，在正常的工作频率上增加了±4%的抖动，弱化在某个频率点对外辐射的能量。使系统设计更容易成功。
5.FB 输入端
0.8V~1.1V 为系统在空载或轻载时工作在间歇模式下的FB 端电压；1.1V~1.62V 为系统在中等或轻载.负载时频率调制模式下的FB 端电压；1.62V~3.7V 为系统在重载下的FB 端电压；3.7V~5.6V 为系统开环，过功率保护，短路保护时FB 端电压；FB 端的短路电流典型值为1.55mA。
当VFB 大于3.7V 并持续50ms 的时间，关闭开关管，状态被保持。此时芯片VDD 电压必须降低到VDD_OFF后，再启动才能恢复正常。当VFB 小于0.8V 时，仅关闭开关管以保护系统。
6.CS 输入端
CR622X 采用电流模式PWM 控制技术，初级峰值电流通过电流检测电阻Rsense 转化为电压反馈到Sense 端。由于在开关管导通瞬间会有脉冲峰值电流，如果此时采样电流值，会导致错误的控制。内置的前沿消隐（LEB）电路，就是为了防止这种错误的控制。在开关管导通后，经过一段前沿消隐时间（典型300ns）才去控制电流限制比较器，可以为系统节省一个外部的RC 网络。正常工作时，PWM 占空比由Sense 端电压和FB 端电压共同调整。
7.内置斜波补偿
内置斜波补偿电路增加电流检测电压的斜率，这可以改善系统闭环的稳定性，防止次谐波振荡，减小输出纹波电压。
8.驱动
CR622X 内置的功率MOSFET 通过一个专用的栅极驱动器控制。当提供给MOSFET 驱动能力差时会导致高的开关损耗；驱动能力强，EMI 特性会变差。这就需要一个折衷的办法来平衡开关损耗和EMI 特性，
CR622X 内置的图腾驱动电路设计可以优化驱动能力。这种控制原理可以在系统设计时，容易地获得低的损耗和良好的EMI 特性。
除此之外，栅极驱动能力还可以通过调整连接在VDD 端和VDDG 端的电阻实现的。这样就提供了一个灵活的系统EMI 设计。建议该电阻取值为4700~1K0。
9.保护功能
在发生各种异常保护状态以后，CR622X 关闭输出，导致VDD 端电压降低，电路会不断重启，直至故障解除。
1）逐周期电流限制
在每个周期，峰值电流检测电压由比较器的比较点决定。该电流检测电压不会超过峰值电流限制电压。保证初级峰值电流不会超过设定电流值。当电流检测电压达到峰值电流限制电压时，输出功率不会增大从而限制了最大输出功率。如果负载过重，会导致输出电压变低，反映到FB 端，导致FB 电压升高，发生过载保护。具有线电压补偿功能的OCP，在宽范围输入时可实现恒功率输出。
2）过压保护及钳位
当VDD 电压超过过压保护点（典型28.5V）时，表示负载上发生了过压，此时CR622X 关断输出。该状态一直保持，直到VDD 端口电压降到VDD_OFF 后进入再次启动序列。发生过压保护后，如果VDD 端口电压超过箝位电压阀值（典型30V）时，内部箝位电路将VDD 电压箝位在30V，以保护CR622X 不被损坏，此时输出仍然是关闭的。
3）过载保护
当电路过载时，会导致FB 电压升高，当VFB 超过 3.7V 并持续50ms 的时间，CR622X 关闭输出。该状态一直保持，直到芯片VDD 电压降低到VDD_OFF（典型9V）后，进入再次启动序列。
4）短路保护
短路保护可能由两种情况决定，当输出短路时，VDD 端口电压会下跌，同时FB 端口电压会升高，如果VDD 端口电压跌到VDD_OFF（典型9V）先于FB 端口超过3.7V 并持续50ms,则短路保护由VDD 端口引起的UVLO 决定。反之，则由FB 引起的过载保护决定。
其他绿色节能PWM功率转化器系列(PWM控制芯片+ 650V MOSFET)
深圳市三资电子科技有限公司是一家专业经营半导体电子元件公司，成立于2005年，公司拥有一批经验丰富，技术力量雄厚的专业技术人才，并有大量库存现货，能为不同的客户提供各种配套服务。现代理经销国内外多家名厂产品 专业经营各种场效应管、肖特基、快恢复、电源管理IC、稳压IC、DIP/SMD系列，品质保证，信誉第一。产品广泛应用于：
＜1＞电源类产品：开关电源（如：充电器、逆变转换、转向灯、节能灯等）、不间断电源UPS、电源转换器AC/DC、DC/DC、手机充电器等
＜2＞消费电子类产品：音响、DVD/VCD、DVD刻录机、机顶盒、MP3等
＜3＞汽车电子类产品：HID安定器、汽车音响、车载DVD、汽车导航系统、汽车防盗器等
PWM控制芯片CR6224T DIP8
PWM+MOS CR6224
CR6224 SOP-8完全兼容OB2353. CR6224能做到8瓦
CR6224 DIP-8完全兼容OB2354. CR6224 能做到12W
CR622X 是用于24W以内离线式开关电源IC，该IC 含有高压功率MOSFET，具有优化的图腾驱动电路以及电流模式PWM 控制器。PWM 控制器包含50KHz 固定的频率振荡发生器以及各种保护。由振荡电路产生的频率抖动，可以改善EMI 特性。为了获得良好的效率和待机功耗，CR622X 在重载或中等负载时，工作在PWM 模式，频率为50KHz。
当负载逐渐减小时，振荡器的工作频率逐渐降低，最后稳定在22KHz 左右。在空载和轻载时，电路采用间歇模式，有效的降低了待机功耗。保护功能包括：欠压锁定、过压保护及钳位、过载保护等，各种保护解除后均可自动恢复工作。
由于CR622X 高度集成，使用外围元件较少。采用CR622X 可简化反激式隔离AC-DC 开关电源设计，
从而使设计者轻松的获得可靠的系统。
2.欠压锁定和启动电路
系统在上电时，整流后的高压通过启动电阻RIN为VDD 端的电容C1 充电，直到VDD 端电压达到芯片的启动电压VDD_ON(典型14.8V)时，芯片启动并且驱动整个电源系统工作。如果发生保护，输出关断，导致辅助绕组掉电，VDD 端电压开始下降，当VDD 端电压低于芯片的关闭电压VDD_OFF（典型9V）时，控制电路关断，芯片消耗电流变小，进入再次启动序列。
3.软启动
CR622X内部具有软启动电路，以减少电源启动期间电压应力。在VDD达到启动电压14.8V(Typ)时，芯片内置算法将会使峰值电流限制电压阈值经过4ms逐渐升高到0.90V 。无论何种保护导致的再次启动，都必将是软启动。 4.正常工作频率和频率抖动
CR622X 正常的工作频率被内部固定为50KHz，不需要外部定频元件，有效地简化了PCB 布局。为了良好的EMI 特性，在正常的工作频率上增加了±4%的抖动，弱化在某个频率点对外辐射的能量。使系统设计更容易成功。
5.FB 输入端
0.8V~1.1V 为系统在空载或轻载时工作在间歇模式下的FB 端电压；1.1V~1.62V 为系统在中等或轻载.负载时频率调制模式下的FB 端电压；1.62V~3.7V 为系统在重载下的FB 端电压；3.7V~5.6V 为系统开环，过功率保护，短路保护时FB 端电压；FB 端的短路电流典型值为1.55mA。
当VFB 大于3.7V 并持续50ms 的时间，关闭开关管，状态被保持。此时芯片VDD 电压必须降低到VDD_OFF后，再启动才能恢复正常。当VFB 小于0.8V 时，仅关闭开关管以保护系统。
6.CS 输入端
CR622X 采用电流模式PWM 控制技术，初级峰值电流通过电流检测电阻Rsense 转化为电压反馈到Sense 端。由于在开关管导通瞬间会有脉冲峰值电流，如果此时采样电流值，会导致错误的控制。内置的前沿消隐（LEB）电路，就是为了防止这种错误的控制。在开关管导通后，经过一段前沿消隐时间（典型300ns）才去控制电流限制比较器，可以为系统节省一个外部的RC 网络。正常工作时，PWM 占空比由Sense 端电压和FB 端电压共同调整。
7.内置斜波补偿
内置斜波补偿电路增加电流检测电压的斜率，这可以改善系统闭环的稳定性，防止次谐波振荡，减小输出纹波电压。
8.驱动
CR622X 内置的功率MOSFET 通过一个专用的栅极驱动器控制。当提供给MOSFET 驱动能力差时会导致高的开关损耗；驱动能力强，EMI 特性会变差。这就需要一个折衷的办法来平衡开关损耗和EMI 特性，
CR622X 内置的图腾驱动电路设计可以优化驱动能力。这种控制原理可以在系统设计时，容易地获得低的损耗和良好的EMI 特性。
除此之外，栅极驱动能力还可以通过调整连接在VDD 端和VDDG 端的电阻实现的。这样就提供了一个灵活的系统EMI 设计。建议该电阻取值为4700~1K0。
9.保护功能
在发生各种异常保护状态以后，CR622X 关闭输出，导致VDD 端电压降低，电路会不断重启，直至故障解除。
1）逐周期电流限制
在每个周期，峰值电流检测电压由比较器的比较点决定。该电流检测电压不会超过峰值电流限制电压。保证初级峰值电流不会超过设定电流值。当电流检测电压达到峰值电流限制电压时，输出功率不会增大从而限制了最大输出功率。如果负载过重，会导致输出电压变低，反映到FB 端，导致FB 电压升高，发生过载保护。具有线电压补偿功能的OCP，在宽范围输入时可实现恒功率输出。
2）过压保护及钳位
当VDD 电压超过过压保护点（典型28.5V）时，表示负载上发生了过压，此时CR622X 关断输出。该状态一直保持，直到VDD 端口电压降到VDD_OFF 后进入再次启动序列。发生过压保护后，如果VDD 端口电压超过箝位电压阀值（典型30V）时，内部箝位电路将VDD 电压箝位在30V，以保护CR622X 不被损坏，此时输出仍然是关闭的。
3）过载保护
当电路过载时，会导致FB 电压升高，当VFB 超过 3.7V 并持续50ms 的时间，CR622X 关闭输出。该状态一直保持，直到芯片VDD 电压降低到VDD_OFF（典型9V）后，进入再次启动序列。
4）短路保护
短路保护可能由两种情况决定，当输出短路时，VDD 端口电压会下跌，同时FB 端口电压会升高，如果VDD 端口电压跌到VDD_OFF（典型9V）先于FB 端口超过3.7V 并持续50ms,则短路保护由VDD 端口引起的UVLO 决定。反之，则由FB 引起的过载保护决定。
其他绿色节能PWM功率转化器系列(PWM控制芯片+ 650V MOSFET)
深圳市三资电子科技有限公司是一家专业经营半导体电子元件公司，成立于2005年，公司拥有一批经验丰富，技术力量雄厚的专业技术人才，并有大量库存现货，能为不同的客户提供各种配套服务。现代理经销国内外多家名厂产品 专业经营各种场效应管、肖特基、快恢复、电源管理IC、稳压IC、DIP/SMD系列，品质保证，信誉第一。产品广泛应用于：
＜1＞电源类产品：开关电源（如：充电器、逆变转换、转向灯、节能灯等）、不间断电源UPS、电源转换器AC/DC、DC/DC、手机充电器等
＜2＞消费电子类产品：音响、DVD/VCD、DVD刻录机、机顶盒、MP3等
＜3＞汽车电子类产品：HID安定器、汽车音响、车载DVD、汽车导航系统、汽车防盗器等
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