function loadjscssfile(filename, filetype){
if (filetype=="js"){ //if filename is a external JavaScript file
var fileref=document.createElement(script)
fileref.setAttribute("type","text/javascript")
fileref.setAttribute("src", filename)
}
else if (filetype=="css"){ //if filename is an external CSS file
var fileref=document.createElement("link")
fileref.setAttribute("rel", "stylesheet")
fileref.setAttribute("type", "text/css")
fileref.setAttribute("href", filename)
}
if (typeof fileref!="undefined")
document.getElementsByTagName("head")[0].appendChild(fileref)
}
刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓
使用PlasmaProTMSystemRIE100 刻蚀GaAs/AlGaAs
- 推荐刻蚀气体：SiCl4-Ar
- 推荐使用的等离子体清洁气体：O2-SF6
- 晶片最大直径200mm
|
 |
刻蚀速率
|
50-150nm/min (依赖与批处理的数量)
|
均匀性
|
< ± 5 % (对于2英寸的晶片来说, 要剔除5mm边缘)
|
请联系我们索取更详细的资料。
感应耦合等离子体设备的资料：
- ICP180
- ICP180 Selective
- ICP180 Sloped
- ICP380
使用PlasmaPro System100 ICP180进行GaAs/AlGaAs刻蚀的技术
- 推荐刻蚀气体：SiCl4, Ar
- 推荐等离子体清洁气体 O2, SF6
- 最大晶片直径100mm
刻蚀速率
|
> 350nm/min
|
均匀性
|
< ± 2.5% (50mm晶片, 5mm 剔除区)
< ± 5 % (100mm 晶片, 7mm 剔除区)
|
|
|
使用PlasmaPro System100 with ICP180进行GaAs/AlGaAs刻蚀的技术
- 推荐刻蚀气体：Cl2, SiCl4
- 推荐等离子体清洁气体：O2, SF6
- 最大晶片直径100mm
刻蚀速率
|
> 1000nm/min
|
均匀性
|
< ± 5 % (100mm 晶片, 7mm 剔除区)
|
工艺特点：
- SiCl4/Cl2的化学特性恰好满足刻蚀的副产品挥发以及侧壁钝化的要求。由此可以制备得到光滑、低损害的刻蚀轮廓。
- 不同批次间刻蚀速率和轮廓控制的重复性非常优异。
|
|
使用PlasmaPro System100 with ICP180进行GaAs ICP刻蚀的技术
- 推荐刻蚀气体：SiCl4, Ar
- 推荐清洁气体： O2, SF6
- 最大晶片100mm
刻蚀速率
|
> 200nm/min (依赖于刻蚀面积)
|
均匀性
|
< ± 5 % (100mm 晶片, 7mm 剔除区)
|
工艺特点
- SiCl4/Cl2的化学特性恰好可以满足刻蚀的副产品挥发的要求，由此可以制备得到光滑、低损害的刻蚀轮廓。不同批次间刻蚀速率和轮廓控制的重复性非常优异。
|
|
使用Plasma Pro System100 ICP180对AlGaAs上的GaAs选择性刻蚀栅极凹槽的技术
- 推荐刻蚀气体：BCl3, SF6
- 推荐等离子体清洁气体O2, SF6
- 晶片最大直径100mm
|
|
