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商品详细描述

刻蚀AlGaN/GaN/AlN——刻蚀氮化铝镓

感应耦合等离子体刻蚀 • 采用感应耦合等离子体源进行感应离子刻蚀（2 or 13.56 MHz） • 感应耦合等离子体 • 13.56兆赫兹等离子体激励 • 工艺气体：基于氯气 • 射频驱动基板电极 • 速率：采用SiO2掩模时0.5-1 微米/分钟 • 采用光刻胶掩模时0.3微米/分钟 • 对SiO2选择比为5-10：1，对光刻胶选择比为1.15：1 • 各向异性的外形 • 清洁的刻蚀表面 • 低的离子引起的损伤
	刻蚀8微米深
刻蚀氮化镓：具有光滑侧壁的反应离子刻蚀 • 具有90oC侧壁的各向异性刻蚀 • 速率：70 纳米/分钟（2英寸） • 掩模：光刻胶 • 光滑90oC侧壁的选择比2：1 • 2英寸直径范围内的均匀性：公差小于+/- 3 % • 非常光滑的侧壁

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