2SA1180三极管

厂商 ：东莞市佳泰电子有限公司

广东 东莞
  • 主营产品：
  • 铝电解电容
  • 二三极管
联系电话 ：13546954858
商品详细描述
供应2SA1180三极管 2SA1180三极管厂家批发价格优惠：13790188864陈金城QQ314287850
是否提供加工定制 是 品牌 东芝
型号 2SA1180 应用范围 放大
材料 硅(Si) 极性 PNP型
结构 平面型 封装形式 直插型
封装材料 金属封装
DESCRIPTION                 ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -180V(Min.)
·High Power Dissipation
 
 
APPLICATIONS
·Designed for power switching amplifier and general purpose
applications.
 
 

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL
 PARAMETER
 VALUE
 UNIT
VCBO
 Collector-Base Voltage
 -180
 V
VCEO
 Collector-Emitter Voltage
 -180
 V
VEBO
 Emitter-Base Voltage
 -5
 V
IC
 Collector Current-Continuous  
 -10
 A
IB
 Base Current-Continuous  
 -4
 A
PC
 Collector Power Dissipation
@TC=25℃
 100
 W
Tj
 Junction Temperature
 150
 ℃
Tstg
 Storage Temperature
 -65~150
 ℃
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj=25℃unless otherwise specified
SYMBOL
 PARAMETER
 CONDITIONS
 MIN
 TYP.
 MAX
 UNIT
V(BR)CEO
 Collector-Emitter Breakdown Voltage
 IC= -25mA; IB= 0
 -180
  
  
 V
V(BR)CBO
 Collector-Base Breakdown Voltage
 IC= -1mA; IE= 0
 -180
  
  
 V
V(BR)EBO
 Emitter-Base Breakdown Voltage
 IE= -1mA; IC= 0
 -5
  
  
 V
VCE(sat)
 Collector-Emitter Saturation Voltage
 IC= -5A; IB= -0.5A
  
  
 -2.0
 V
VBE(sat)
 Base-Emitter Saturation Voltage
 IC= -5A; IB= -0.5A
  
  
 -2.5
 V
ICBO
 Collector Cutoff Current
 VCB= -180V; IE= 0
  
  
 -100
 μA
IEBO
 Emitter Cutoff Current
 VEB= -5V; IC= 0
  
  
 -100
 μA
hFE
 DC Current Gain
 IC= -5A ; VCE= -4V
 30
  
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