三极管2SD1415

厂商 ：东莞市佳泰电子有限公司

广东 东莞
  • 主营产品：
  • 铝电解电容
  • 二三极管
联系电话 ：13546954858
商品详细描述
供应三极管2SD1415 三极管2SD1415价格优惠现货批发：13790188864陈金城QQ314287850
是否提供加工定制 是 品牌 东芝、仙童
型号 2SD1415 应用范围 达林顿
材料 硅(Si) 极性 NPN型
集电极最大允许电流ICM 7（A） 集电极最大耗散功率PCM 30（W）
结构 平面型 封装形式 TO-220Fa
封装材料 塑料封装
TO-220Fa供应2SD1415三极管,有意者请联系！
DESCRIPTION                                             
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
  : V(BR)CEO= 100V(Min)
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
  : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 3A
·High DC Current Gain
  : hFE= 2000(Min) @ IC= 3A, VCE= 3V
·Complement to Type 2SB1020
 
 
APPLICATIONS
·High power switching applications
·Hammer driver,pulse motor driver applications
 
 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL
 PARAMETER
 VALUE
 UNIT
VCBO
 Collector-Base Voltage                      
 100
 V
VCEO
 Collector-Emitter Voltage                         
 100
 V
VEBO
 Emitter-Base Voltage
 5
 V
IC
 Collector Current-Continuous
 7
 A
IB
 Base Current-Continuous
 0.2
 A
PC
 Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
 30
 W
TJ
 JunctionTemperature
 150
 ℃
Tstg
 StorageTemperature Range
 -55~150
 ℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃unless otherwise specified
SYMBOL
 PARAMETER
 CONDITIONS
 MIN
 TYP.
 MAX
 UNIT
V(BR)CEO
 Collector-Emitter Breakdown Voltage
 IC= 50mA ; IB= 0
 100
  
  
 V
VCE(sat)-1
 Collector-Emitter Saturation Voltage
 IC= 3A; IB= 6mA
  
  
 1.5
 V
VCE(sat)-2
 Collector-Emitter Saturation Voltage
 IC= 7A; IB= 14mA
  
  
 2.0
 V
VBE(sat)
 Base-Emitter Saturation Voltage
 IC= 3A; IB= 6mA
  
  
 2.5
 V
ICBO
 Collector Cutoff Current
 VCB= 100V; IE= 0
  
  
 100
 μA
IEBO
 Emitter Cutoff Current
 VEB= 5V; IC= 0
  
  
 3.0
 mA
hFE -1
 DC Current Gain
 IC= 3A ; VCE= 3V
 2000
  
 15000
  
hFE -2
 DC Current Gain
 IC= 7A ; VCE= 3V
 1000
  
  
  
Switching times
ton
 Turn-on Time
 IC= 3A , IB1= -IB2= 6mA
RL= 15Ω; VCC= 45V
PW=20μs; Duty Cycle≤1%
  
 0.8
  
 μs
tstg
 Storage Time
  
 3.0
  
 μs
tf
 Fall Time
  
 2.5
  
 μs
标签：
相关产品推荐