CEWE有功功率表

厂商 :厦门日华机电成套有限公司

福建 厦门
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  • 辅助开关
  • 软连接
  • 梅花触头
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商品详细描述
CEWE仪表规格型号选型大全
IQ96,X/1A,20%
IQ96,X/1A,500%
IQ96,X/5A,20%
IQ96,X/5A,500%
IQ96,200/5A,20%带红线
IQ96,400/5A,20%带红线
IQ96,6600/100V,20%带红线
IQ96 34.5/0.115KV
IQ96,X/100V,20%
IQ96,X/110V,20%
IQ96,X/115V,20%
IQ96 75/1A 400
IQ96,X/220V
IQ96,0-500V
IQ 96 0-800V
CQ96 4-20MA 0-150
CQ96  0-15A 
CQ96 0-150V 
LQ96K DW2 800/1A 6000/100V
LQ96K DW2 800/1A 6000/101V
IQB96,X/5A,20%15min
IQB96,X/1A,20%15min
IQ72X/1A20%
IQ72        X/1A     500%
IQ72        X/5A      20%
IQ72 X/100V 20%
IQ 72 0-250V
IQ72 0-500V
IQ72 0-600V
CQ72 0-60V
CQ72 0-150V
CQ72 0-250V
FQ72 0-230V
CQ72   0-4V 0-1500mA
CQ72  0-4V  0-8KV 
IQ48,X/5A,20%
IQ48,X/1A,20%
IQ48,X/100V,20%120V
IQ48,X/110V,20%
CQ48  4-20MA 0-10US/CM
PQ23,100V,5A
PQ23,110V,5A
PQ23,110V,1A
PL23  100V  5A
QQ23,100V,5A
QQ23110V5A
QQ23,110V,1A
QL23  100V 5A
PFL13,100V,5A
PFL13110V5A
PFL13,100V,1A
PFQ13 110V 5A
FQ96,100V,46-54HZ
CL72,4-20MA,0.25-0-2.25MW
CLR72,0-18KV,6600/100V
CQ96 4-20MA 0-XA
WQ96/2S 2*6600/100V
DR435 80-276V AC/DC
DPT520-401
CU2.2 D 110V 5A,  4-12-20mA,  750Ω220V AC, 0.5-1-0.5Ind. 0.5CL.
DF  04 110V  45-55HZ 4-20MA 88-264V AC-DC
DU 122  184-276VAC 55K/100V 0-660KV  4-20MA
DP 345 80-276V AC-DC 55K/100V 1500/1A 
DI125 1A 4-20mA
DI125 5A 4-20mA
DU120 0-500V 0-20mA
DU125 500V 4-20mA
PI29-1 DC 220V
PI25-1 DC 220V
CEWE有功功率表集成电路,可以实现对MOSFETIGBT的最优驱动,CEWE有功功率表同时还具有快速完整的呵护功能,因而它可以提高控制系统的靠得住性,削减电路的复杂水平。   IR2110的内部结构和工作原理框图如图4所示。图中CEWE有功功率表HINLIN为逆变桥中同一桥臂上下两个功率MOS的驱动脉冲信号输入端。SD为呵护信号输入端,当该脚接高电平时,IR2110的输出信号全被封闭,其对应的输出端恒为低电平;而当该脚接低电平时,IR2110的输出信号跟从HINLIN而转变,CEWE有功功率表在实际电路里,该端接用户的呵护电路的输出。HOLO是两路驱动信号输出端,驱动同一桥臂的MOSFET   IR2110的自举电容选择欠好,容易造成芯片损坏或不克不及正常工作。VBVS之间的电容为自举电容。自举电容电压达到8.3V以上,才能够正常工作,要么采取小容量电容,以提高充电电压,要么直接在VBVS之间提供1020V的隔离电源,本电路采取了1μF的自举电容。    为了削减输出谐波,逆变器DC/AC部分一般都采取双极性调制,即逆变桥的对管是高频互补通和关断的。   CEWE有功功率表逆变桥部分,采取IGBT作为功率开关管。由于IGBT寄生电容和线路寄生电感的存在,同一桥臂的开关管在开关工作时相互会发生干扰,这种干扰主要体现在开关管门极上。以上管开通对下管门极发生的干扰为例,实际驱动电路及其等效电路如图3所示。实际电路中,IR2110的输出推挽电路,这个电压尖刺幅值随母线电压VBUS和负载电流的增大而增大,可能达到足以致使T2瞬间误导通的幅值,这时桥臂就会形成直通,造成电路烧毁。   同样地,当T2开通时,T1的门极也会有电压尖刺发生。带有门极关断箝位电路的驱动电路通过减小RS和改良电路布线可使这个电压尖刺有所下降,但均不克不及达到靠得住避免桥臂直通的要求。CEWE有功功率表门极关断箝位电路针对前面的分析,本文将提出一种门极关断箝位电路,通过在开关管驱动电路中附加这种电路,可以有效地下降上述门极尖刺。门极关断箝位电路由MOSFETMC1MC2,MC1门极下拉电阻RC1MC2门极上拉电阻RC2组成。实际上该电路是由MOSFET组成的两级反相器。当MC1门极其高电平时,MC1导通,MC2因门极其低电平而关断,不影响功率开关管的正常导通;当MC1门极其低电平时,MC1关断,MC2因门极其高电平而饱和导通,从而在功率开关管的门极形成了一个极低阻抗的通路,将功率开关管的门极电压箝位在0V,根基上消除上文中提到的电压尖刺。   在使用这个电路时,要注意使MC2DS与功率开关管GE间的连线尽可能短,以最大限度地下降功率开关管门极寄生电感和电阻。在电路板的排布上,MC2要尽可能接近功率开关管,而MC1,RC1RC2却没必要太接近MC2,这样既可以阐扬该电路的作用,也不至于给电路板的排布带来很大困难。用双极型晶体管(如8050)同样可以实现上述电路的功能。双极型晶体管是电流型驱动,其基极必须要串连电阻。为了加快其关断,同时避免其自己受到干扰,基极同样需要并联下拉电阻,这样就使电路加倍复杂。   同时,CEWE有功功率表要维持双极型晶体管饱和导通,其基极就必须从电源抽取电流,在通常的应用场合这并没有太大影响,但在自举驱动而且是SPWM的应用场合,这些抽流会大大加重自举电容的承担,容易使自举电容上的电压太低而影响电路的正常工作。因此选用MOSFET来组成上述门极关断箝位电路。可以看到在门极有一个电压尖刺,这个尖刺与门极脉冲的时间距离恰好等于死区时间,由此可以证明它是在同一桥臂另一开关管开通时发生的。此时电压尖刺根基消除。通过实验验证,该电路确实可以抑制和消除干扰,有一定的使用价值,可以提高电路的靠得住性   4 呵护电路设计及调试历程中的一些问题   呵护电路分为欠压呵护和过流呵护。   欠压呵护电路如图5所示,它监测蓄电池的电压状况,如果蓄电池电压低于预设的10.8V,呵护电路起头工作,CEWE有功功率表使控制器SG3524的脚10关断端输出高电平,停止驱动信号输出。   图5中运算放大器的正向输入真个电压由R1R3分压取得,而反向输入真个电压由稳压管箝位在+7.5V,正常工作的时候,由三极管V导通,IR2110输出驱动信号,驱动晶闸管正常工作,实现逆变电源的设计。当蓄电池的电压下降跨越预定值后,运算放大器起头工作,输出跳转为负,LED灯亮,同时三级管V截止,向SG3524SD端输出高电平,封闭IR2110的输出驱动信号。此时没有逆变电压的输出。      过流呵护电路如图6所示,它监测输出电流状况,预设为1.5A。方波逆变器的输出电流颠末采样进入运算放大器的反向输入端,当输出电流大于1.5A后,运算放大器的输出端跳转为负,颠末CD4011组成的RS触发器后,使三级管V1基级的信号为低电平,三级管截止,向IR2011SD1端输出高电平,达到呵护的目的。   调试历程遇到的一个较为重要的问题是关于IR2110的自举电容的选择。IR2110的上管驱动是采取外部自举电容上电,这就使得驱动电源的路数大大削减,但同时也对VBVC之间的自举电容的选择也有一定的要求。颠末试验后,最终采取1μF的电解电容,可以有效地满足自举电压的要求。      5 试验成果及输出波形   DC/DC变换输出电压稳定在320V   CEWE有功功率表控制开关管的半桥驱动器IR2110开关频率为50Hz,实验的电路波形如图7~图14所示。      6、功率因素校正:   低功率因数电源存在问题:使电网波形畸变,线路损耗加大;下降供电系统的功率因数、增大系统供电容量;下降用电设备的使用寿命;干扰仪器仪表;使计较机无法正常工作等不连续工作模式的校正原理在低功率(P<200W)的PFC中,多采取DCM工作模式。经常使用的控制体例有恒频控制手艺和恒导通时间控制手艺。   1.恒频控制手艺PFC电路的开关频率连结不变,而且PWM控制输出的控制脉冲的占空比在半个工频周期内连结不变。VT导通时,电感电流的峰值   在一个开关周期Ts中,电感电流的平均值为   若在半个工频周期内TonTdon均为恒定值,则输入电流的峰值与输入电压成正比,电流的平均值与电压相位相同。当Tdon 恒按时,则输入电压与输入电流的比值恒定,从而实现PF=1  CEWE有功功率表但在实际电路中Tdon在半个工频周期内其实不恒定,CEWE有功功率表致使了平均输入电流存在一定水平的畸变。提高输入电压和输出电压的峰值比值,可以减小电流的畸变水平。  
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