SPD07N60C3

英飞凌SPD07N60C3,7.3A 600V N沟道MOS管

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息

晶体管极性: N-Channel

汲极/源极击穿电压: 600 V

闸/源击穿电压: +/- 20 V

漏极连续电流: 7.3 A

漏源导通电阻: 600 mOhms

配置: Single

最大工作温度: + 150 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252

封装: Reel

下降时间: 7 ns

最小工作温度: - 55 C

功率耗散: 83 W

上升时间: 3.5 ns

系列: xPD07N60

工厂包装数量: 2500

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