YT2358

厂商 :无锡颐鼎科技有限公司

广东 深圳
  • 主营产品:
  • 稳压IC
  • 电机驱动IC
  • 开关电源IC
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商品详细描述
YT2358绿色节能电流模式PWM 功率转换器  12W-15W

DIP8封装
●特征
■内置软启动:4ms
■低的启动电流和工作电流
■优化的H iccup Mode 设计,以提高效率
■内置前沿消隐电路和降低待机功耗
■欠压锁定保护, 过载保护(OLP)
■正常工作时无音频噪声设计 过压保护(OVP)
■固定工作频率:50KHz
■保护解除后自动恢复功能
■内置斜坡补偿电路
●应用
■适配器
■机顶盒电源
■数码相机、摄像机适配器
■个人电脑、服务器辅助电源
■VCR,SVR,DVD&DVCD 播放器电源
■开放式开关电源
●概要
该电路集成了专门的电流模式 PWM 控制 压锁定保护(UVLO)、过压保护(OVP)
器和高压功率 MOSFET,适用于15W 以内的 及箝位、逐周期电流限制(OCP)、过载高性能、低待机功耗、低成本的离线式反激 保护(OLP)和图腾柱输出驱动高箝位等。开关电源中。 芯片内置的频率抖动和图腾柱栅极软驱动电路具有软启动的功能。为了保证芯片正 技术可容易地获得良好的EMI 性能。常工作,特针对各种故障设计了一系列完善 电路具有DIP-8L & SOP-8L 两种封装的具有可恢复功能的保护措施,包括 VDD 欠可供选择。
●工作原理
YT2358 系列产品是小功率离线反激式开关电源功率转换器。对于宽范围输入,输出功率覆盖15W 以内。为了降低系统待机功耗,满足国际节能标准,特别设计了Hiccup Mode。
■启动电流和启动控制
YT2358的启动电流设计的比较低,因此当VDD 电压被充到UVLO(OFF),可迅速的启动。为了减小损耗且保证可靠的启动,启动电阻可以采用一个更大的值。对于宽范围
输入电压(85V~265V)AC/DC 适配器设计,一个2MΩ,1/8W 的启动电阻和10uF/50V 的VDD 电容可以提供快速启动和低功耗设计方案。
■工作电流
YT2358的工作电流比较低,仅2mA(典型),低的工作电流和Hiccup Mode 特征共
同使电源获得良好的工作效率。
■软启动
YT2358内部设计有4ms 的软启动时间,以减少电源启动期间电压应力。软启动在电源启动瞬间工作。只要VDD 电压达到UVLO(OFF),峰值电流从0 到最大值用时4ms
逐渐增加。无论何种保护导致的再次启动,都必须是软启动。
■优化的Hiccup Mode 控制
在轻载或空载情况下,开关电源的大多数损耗来源于功率MOSFET 的开关损耗,变压器铁损和缓冲电流的损耗。功率损失的程度正比于开关频率。较低的开关频率可以降低功率损耗,达到节能的目的。
YT2358的开关频率可根据开关电源空载或者轻载的情况进行内部调节。在空载或者轻载的情况下减小开关频率,可以提高转换频率。在轻载或者空载的情况下,FB 端电压下降到Hiccup Mode 阈值电压,电源进入Hiccup Mode 工作状态。当VDD 电压下降到的阈值时,栅极驱动被激活,FB 控制开关打开以降低开关损耗,极大的减小待机功耗。开关频率控制在任何负载情况下都不会进入音频范围,杜绝音频噪声。
■频率抖动改善EMI 性能
YT2358具有频率抖动功能(随机开关频率调整),开关频率调整分散了谐波干扰能
量。扩展的频谱降低了窄带EMI,因此简化了系统设计。
■正常振荡频率
YT2358内部设计有固定的50Khz 的标准开关频率,无需外部电容电阻等设定频率
元器件,有效的简化了PCB 设计。
■电流采样和前沿消隐
YT2358采用电流模式PWM 控制技术,具有逐周期电流限制功能。由于缓冲二极管反向恢复电流和内部功率MOSFET 栅极浪涌电流,会在MOSFET 导通瞬间的开关电流上引起脉冲电流,开关电流通过感应电阻被转变为电压反馈到SENSE 端口。MOSFET 导通瞬间的脉冲电流可能会引起错误的控制。内部前沿消隐电路就是为了SENSE 端口在MOSFET 导通瞬间的感应电压脉冲,防止错误的控制。这样就可以为系统节省一个外部的RC 网络。在前沿消隐时间内,电流限制比较器禁止关闭内部功率MOSFET。PWM 的占空比有SENSE 电压和FB 电压共同控制。
■内部斜波补偿
内置的斜波补偿电路增加控制 PWM 信号SENSE 端口感应电压斜率。这极大的改善了
系统工作在CCM 模式的闭环稳定性,防止次谐波振荡,减小输出纹波电压。
■驱动
YT2358内置功率MOSFET 是通过一个专用的栅极驱动控制。太弱的栅极驱动能力将导
致高的传导和开关损耗。太强的栅极驱动EMI 特性较差。内置的 Totem Pole 栅极驱动设计可以很好的解决驱动强度和死区控制时间。这个专用的控制原理更容易实现系统低损耗和良好的EMI 特性设计。除此之外,栅极的驱动强度也可以通过调整VDD 和VDDG 之间的电阻实现。可以很好的控制漏极的下降沿。使得系统的EMI设计具有很大的灵活性。
■保护控制
YT2358为了确保系统的正常工作内置了多重保护措施。当这些保护措施一旦被触发,将关断功率MOSFET。这些保护措施包括逐周期电流限制(OCP)、过载保护(OLP)、VDD 欠压锁定(UVLO)保护、过压保护(OVP)和VDD 箝位功能。逐周期电流限制(OCP)带有线电压补偿,可实现宽输入电压范围(85V~265V)时恒定功率输出控制。当FB 端电压超过过载限制阈值TD_PL(典型50ms)时间后,控制电路关闭开关管,该状态一直保持。直到VDD 电压下降到UVLO(ON)阈值后,进入重启序列。
VDD 电压由变压器辅助绕组提供。当VDD 电压超过过压保护(OVP)阈值时,YT2358将关闭输出,该状态一直保持。直到VDD 电压下降到UVLO(ON)阈值后,进入重启序列。当VDD 电压超过VDD 箝位阈值时,内部VDD 箝位电路将VDD 箝位在30V 以保护VDD 端口。此时YT2358的输出仍然是关闭的。

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