TF2106M-TAH替代IRS2106STRPBF

描述 TF2106M是一款高电压、高速栅极驱动器，支持 在高端/低端驱动N沟道MOSFET和LGBT 侧面配置.tf半导体的S高压工艺 使TF2106‘在自举模式下切换到600V 操作。50 ns()传播延迟匹配 在高侧和低侧驱动器之间允许高 频率切换。 TF2106M逻辑输入与标准TTL兼容 和CMOS值(低至3.3V)，便于与 控制设备。驱动器输出具有高脉冲 为最小驱动器交叉而设计的电流缓冲器 传导。低端栅极驱动器和逻辑共享 共同点 TF2106M采用节省空间的8针Solc封装 和8针PDLP；工作温度从-40 ‘C至+125℃。 功能 自举操作中的浮动高端驱动器，电压为600V 在高端/驱动两个N沟道MOSFET或LGB 低位配置 容忍负瞬变的输出 宽低端栅极驱动器和逻辑电源：10V至20V 兼容CMOS和TTL的逻辑输入(低至3.3V) 施密特触发的带有内部下拉的逻辑输入 VCC的欠压锁定 提供节省空间的Solc-8套装 扩展温度范围：40‘C至+125°C 高低边 灌:290mA 拉:600mA 10V~20V 高压侧和低压侧栅极驱动