绑定硅靶材

硅靶材的应用非常广泛。基于理物相沉积(PVD)的溅射工艺具有薄膜纯度高、成膜质量好、沉积速度快、工艺稳定可靠等优点，广泛应用于集成电路生产制造中具有不可替代性。溅射沉积薄膜的原材料就是靶材，靶材的化学纯度、筹备性能等直接决定了芯片中接触层、介质层、互连层等薄膜的性能，从而影响电子产品的性能和寿命。芯片对溅射靶材的要求非常高，它要求靶材纯度要达到5N(99.999%)以上。在真空中制备膜层，包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。虽然化学汽相沉积也采用减压、低压或等离子体等真空手段，但一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜。真空镀膜有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。 

高纯真空溅射靶材可分为：高纯金属靶材、多元合金靶材、陶瓷溅射靶材、金属膜电阻器用靶材。高纯金属靶材:锆靶Zr、铬靶Cr、钛靶Ti、铝靶Al、锡靶Sn、钒靶V、锑靶Sb、硼靶 B、钨靶W、锰靶Mn、铋靶Bi、铜靶Cu、石墨靶C、硅靶Si、钽靶Ta、锌靶Zn、镁勒 Mg、铌靶Nb、钼靶Mo、镍靶Ni、银靶Ag、不锈钢靶材等……多元合金靶材;钛铝靶Ti-Al、钛锆靶Ti-Zr、钛硅靶Ti-Si、钛镍靶Ti-Ni、镍铬靶Ni-Gr镍铝靶Ni-A1、镍钒靶Ni-V 镍铁靶Ni-Fe、铝硅靶Al-Si、钛硅靶Ti-Si、铬硅靶Cr-Si锌铝靶Zn-Al、钛锌靶材Ti-Zn、铝硅铜靶Al-Si-Cu等……半导体芯片行业是金属溅射靶材的主要应用领域之一，是对靶材的成分、筹备和性能要求高的领域。

科技日报：ITO靶材属于35项卡脖子技术之一。UVTM掌握溅射靶材生产的核心技术以后，实施极其严格的保密措施，限制技术扩散，目前制备太阳能电池较为常用的溅射靶材包括铝靶、铜靶、钼靶、铬靶以及ITO靶、AZO靶(氧化铝锌)等在国内处于较高水平。其中铝靶、铜靶用于导电层薄膜，钼靶、铬靶用于阻挡层薄膜，邦定：长4米靶材的邦定，3米管靶材邦定，大面积平面铜背板，钛背板的邦定，绑定率高，超声波探伤仪检测4米管靶材邦定大面积邦定技术铜背板钛背板邦定高绑定率能邦定G10.5代线。产地：广州。材质：Ag、Cu晶粒度：100um产品用途：银铜合金靶材主要用于真空溅射镀膜。银铜合金优势：有良好的导电性、流动性和浸润性、较好的机械性能、硬度高。耐磨性和抗熔焊性。有偏析倾向。