SIC动态参数测试仪

功能及主要参数： 　　适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。 品牌： 华科智源 名称： SIC动态参数测试仪 型号： HUSTEC-3000 用途： SIC器件，MOS管， IGBT测试 产品详情 功能及主要参数： 　　适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。 　　主要技术参数： 　　IGBT开关特性测试 　　开关时间测试条件 　　Ic：50A～1000A Vce：200V～2000V 　　Vgs：-10V～＋20V Rg：1R～100R可调(可选择4档及外接) 　　负　　载：感性负载阻性负载可切换 　　电感范围：100uH，200uH，500uH，1000uH 　　电阻范围：0.5R、1R、2R、4R 　　IGBT开关特性测试参数 　　开通延迟td(on): 20nS -10uS 　　上升时间tr: 20nS -10uS 　　开通能量Eon： 0.1-1000mJ 　　关断延迟时间td(off)：20 nS -10uS 　　下降时间 tf： 20nS -10uS 　　关断能量Eoff：0.1-1000mJ 　　二极管反向恢复特性测试 　　FRD测试条件：正向电流IF：50A～1000A；反向电压 Vr：200V~2000V；-di/dt：100A/us～10000A/us ；负载：感性负载可选 　　电感范围：100uH，200uH，500uH，1000uH 　　FRD测试参数 　　反向恢复时间trr：20nS -2uS 　　反向恢复电荷Qc：10nC~10uC； 　　反向恢复电流Irm：50A~1000A 　　反向恢复损耗Erec：0.1mJ～1000mJ 产品优势 　　国内少有能对二极管、IGBT模块、MOS管等器件的时间参数实施测试的设备。