元器件半导体静电放电发生器

EDS 10IC元器件半导体静电放电发生器泰思特 3Ctest/3C测试中国EDS 10IC静电放电发生器(EDS 10IC静电放电发生器针对人体模型(HBM)和机械模型(MM)的静电放电抗扰度试验的特点和要求专门设计，可以对LED、晶体管、IC等半导体器件进行静电抗扰度的测试。符合IEC、ESDA、JEDEC和MIL等相应标准的要求，同时完全满足上述所有标准中严酷等级的静电电压要求。 undefined 3Ctest/3C测试中国EDS 10IC静电放电发生器(特点： 全新三代控制平台 ，触摸屏智能化控制。 自动识别阻容模块，并调整大电压。 低电压5V，1V步进调节电压 可完成单次或自动放电测试，可设置次数、频率等参数。 Human Body Model (HBM) Machine Model (MM) ESDA ANSI/ ESD STM5.2-2009 JEDEC JESD22- A114E Jan.2007 ANSI /ESD-STM5.1 2007 MIL-STD-883G 28 Feb.2006 ANSI/JEDEC JS-001-2010 JEDEC JESD22- A115C Nov.2010 技术参数 HBM 短路电流参数 放电电容 100 pF 放电电阻 1500 Ω 峰值电流Ips 0.17 A +10% @250 V 0.33 A +10% @500 V 0.67 A +10% @1000 V 1.33 A +10% @2000 V 2.67 A +10% @4000 V 上升时间 2 ns~10 ns 脉冲宽度 150 ns + 20 ns 振铃幅度 <15%峰值电流 HBM 500欧电阻电流参数 峰值电流Ipr 375 mA~550 mA @ 1000V 1.5 A~2.2 A @ 4000V Ipr/Ips ≥ 63% 上升时间 5 ns~25 ns MM短路电流参数 放电电容 200 pF 放电电阻 0 ? 峰值电流Ip1 0.44 A +20% @25 V 0.88 A +20% @50 V 1.75 A +10% @100 V 3.5 A +10% @200 V 7.0 A +10% @400 V Ip2/Ip1 67%~90% 周期 66 ns~90 ns MM 500欧电阻电流参数 峰值电流Ipr 0.85 A~1.2 A @ 400 V 100 ns电流值 I100 0.23 A~0.40 A @ 400 V I200/I100 30%~55% 通用参数 输出电压 HBM 5 V~8000 V (5%+5V) MM 5 V~1000V (5%+5V) 极性 正、负或正负交替 频率 0.1 Hz~5 Hz 触发次数 1~999次 触发方式 自动，手动，外触发 输入电源 AC 100 V ~240 V ，+10% 50 Hz /60 Hz 环境温度 15℃~35℃ 储藏温度 -10℃~50℃ 相对湿度 25%~75% 尺寸 450 mm x320 mm x190 mm(长x宽x高) 重量 约10 kg